STM32是一款基于ARM Cortex-M内核的微控制器，广泛应用于嵌入式系统设计。STM32H库是STMicroelectronics公司为STM32系列MCU提供的开发支持库，它包含了许多功能强大的函数，便于开发者进行高效编程。在这个主题中，我们将深入探讨如何使用STM32H库进行内部FLASH的读写操作以及结构体数组的数据存取。 内部FLASH在STM32中是用于存储程序代码、配置数据或非易失性数据的重要部分。它的优势在于断电后仍能保持数据，因此常用于保存设置信息或长期存储。下面将详细解释如何进行读写操作： 1. **内部FLASH的读操作**：读取内部FLASH非常简单，因为Cortex-M处理器可以直接从FLASH执行代码。但如果你需要在运行时读取某个特定地址的数据，可以使用`HAL_FLASH_Read()`函数。该函数接受一个地址和数据缓冲区指针作为参数，然后将指定地址的数据复制到缓冲区。 2. **内部FLASH的写操作**：写入内部FLASH涉及到擦除和编程两个步骤。你需要使用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数来擦除特定的扇区，确保要写入的区域为空。然后，使用`HAL_FLASH_Program()`函数将新数据写入指定地址。注意，写操作通常有最小编程单位限制，比如在STM32F1系列中通常是2个字节。 结构体数组的写入与读取在实际应用中非常常见，例如保存用户设置或设备状态。以下是如何操作： 1. **结构体数组的写入**：你需要定义一个结构体类型，包含你需要存储的字段。然后，创建一个结构体数组并填充数据。写入FLASH前，将结构体数组转换成字节数组，因为内部FLASH只能按字节写入。使用`HAL_FLASH_Program()`函数，按字节或半字节写入数组的每个元素。 2. **结构体数组的读取**：在读取时，首先分配相同大小的内存空间来接收读取的数据。然后，使用`HAL_FLASH_Read()`函数读取FLASH中的字节序列，并根据结构体大小和排列顺序解析成对应的结构体数组。注意，不同平台的字节序可能会有所不同，可能需要进行字节序转换。 在进行FLASH操作时，需要注意以下几点： - **保护机制**：STM32具有保护机制，防止意外擦除或修改某些区域。在写操作前，需要检查和设置适当的保护状态。 - **错误处理**：`HAL_FLASH_*`函数返回的状态码能够提供操作结果，如成功、繁忙、错误等。必须正确处理这些返回值，避免程序异常。 - **等待状态**：写入和擦除操作可能需要一段时间，因此在调用相关函数后，通常需要等待操作完成。 理解并熟练掌握STM32H库的内部FLASH读写操作及结构体数组的存取是开发STM32应用的关键技能。通过合理使用这些功能，你可以构建可靠且高效的嵌入式系统。

STM32G474是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于ARM Cortex-M4内核的微控制器，属于STM32G4系列。该系列芯片拥有高速处理能力和丰富的外设接口，广泛应用于嵌入式系统设计。在STM32G474中，Flash存储器是重要的组成部分，它用于存储程序代码、配置数据和用户数据。本文将详细讲解STM32G474的Flash读写操作，并基于描述中提到的"仿LL库"进行解析。 STM32的Low Layer (LL)库是一种轻量级的底层驱动库，提供接近硬件层的API函数，以简化开发者对特定外设的操作。LL库通常比HAL库更加灵活且效率更高，适合对性能有较高要求的应用。在STM32G474的Flash读写中，`stm32g4xx_ll_flash.c`和`stm32g4xx_ll_flash.h`文件包含了相关的LL库函数定义和实现。 1. **Flash读操作**： - `LL_FLASH_ReadWord(uint32_t Address)`: 这个函数用于读取Flash中的32位数据。Address参数为要读取的Flash地址。 - 在实际应用中，可以使用这个函数来读取已编程的程序代码或存储在Flash中的配置数据。 2. **Flash写操作**： - `LL_FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)`: 此函数用于写入32位Data到Flash的指定Address。在写入前，必须确保该地址没有被保护，并且满足最小编程单位（一般为4字节）的要求。 - 写入操作通常包括擦除和编程两个步骤。在STM32G474中，Flash的擦除是以页为单位进行的，每页大小通常为2K字节。`LL_FLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress)`函数用于擦除指定页。 3. **Flash编程和验证**： - `LL_FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FlashRegion)`: 为了防止意外修改Flash内容，可以启用写保护功能。 - `LL_FLASH_IsOperationReady(void)`: 检查Flash操作（如编程或擦除）是否完成，避免在操作进行时进行其他操作，导致数据损坏。 - `LL_FLASH_OperationErrorGet(void)`: 获取Flash操作错误状态，用于故障排查。 4. **Flash编程策略**： - 由于Flash有一定的寿命限制（编程/擦除次数），因此在编程时需谨慎。建议采用“先擦后写”策略，即在写入新数据前先擦除目标区域。 - 必须确保在写入过程中电源稳定，因为断电可能导致Flash数据丢失或损坏。 5. **异常处理**： - 使用LL库时，需要注意错误处理。例如，如果Flash操作失败，可以通过`LL_FLASH_OperationErrorGet()`获取错误信息，然后采取相应措施，如重试或报告错误。 6. **安全考虑**： - STM32G474提供了安全特性，如Boot Loader区域保护，防止非法程序覆盖。这些特性在开发过程中需要正确配置和利用。 通过`stm32g4xx_ll_flash.c`和`stm32g4xx_ll_flash.h`文件，开发者可以深入了解并掌握STM32G474的Flash管理机制，从而高效地进行固件开发。在实际项目中，根据需求选择合适的数据结构和算法，结合STM32的中断和定时器等资源，可以实现高性能、低功耗的Flash读写操作。

STM32是一款基于ARM Cortex-M内核的微控制器，广泛应用于嵌入式系统设计中。在许多应用中，我们可能需要一种持久性的存储方案来保存数据，即使在电源关闭后也能保留这些数据。这时，我们可以利用STM32的内部Flash来模拟EEPROM的功能，因为EEPROM通常具有多次擦写能力，但成本较高且容量有限。本文将详细介绍如何使用STM32的Flash进行模拟EEPROM的数据读写。 了解STM32的Flash特性至关重要。STM32的Flash存储器是其非易失性内存的一部分，它可以在断电后保持数据，且可以进行编程和擦除操作。Flash的编程和擦除有不同的级别：页编程（通常几百字节）和块擦除（几千到几万字节）。因此，模拟EEPROM时，我们需要考虑这些限制，避免频繁的大范围擦除操作。 模拟EEPROM的基本思路是分配一段连续的Flash区域作为虚拟EEPROM空间，并维护一个映射表来跟踪每个存储位置的状态。以下是一些关键步骤： 1. **初始化**：设置Flash操作所需的预处理，如使能Flash接口、设置等待状态等。同时，确定模拟EEPROM的起始地址和大小，以及映射表的存储位置。 2. **数据读取**：当需要读取数据时，首先检查映射表中对应地址的状态。如果该位置未被使用，可以读取Flash中的原始数据；如果已使用，则直接返回缓存中的数据。 3. **数据写入**：在写入数据前，先对比新旧数据，如果相同则无需写入。如果不同，找到尚未使用的Flash页进行写入，更新映射表记录。如果所有页面都被使用，可以选择最旧的页面进行擦除并重写。注意，为了减少擦除次数，可以采用“写入覆盖”策略，即在写入新数据时，只替换旧数据的部分，而不是整个页。 4. **错误处理**：在编程和擦除过程中，要处理可能出现的错误，如编程错误、超时等。确保有适当的错误恢复机制。 5. **备份与恢复**：为了提高系统的健壮性，可以在启动时检查映射表的完整性，并在必要时恢复已知的合法数据。 压缩包中的“Flash存储数据程序”可能包含以下文件： - EEPROM模拟的C源代码：实现上述步骤的函数，包括初始化、读写操作等。 - 示例应用程序：展示如何在实际项目中调用这些函数，存储和读取示例数据。 - 配置文件：如头文件，定义Flash分区、映射表的大小和位置等。 - 编译脚本或Makefile：用于编译和烧录程序到STM32开发板。 通过这样的方法，开发者可以在不增加额外硬件成本的前提下，利用STM32的Flash高效地实现模拟EEPROM功能，满足对小容量、低频次写入需求的应用场景。在实际工程中，这种技术常用于存储配置参数、计数器或者设备序列号等数据。

STM32G4系列片上FLASH读写函数，已封装好，具体使用情况见以下链接：https://blog.csdn.net/13011803189/article/details/135625151?spm=1001.2014.3001.5502 说明：可对任意的连续地址进行读写，可跨页读写。写入时，自动判断待写区域是否为空，对于非空区域，会自行擦除页，并且相关页（扇区）内的非写入区域的数据仍然保留。由于G4系列每次写入均为8字节，所以读函数也同样遵循了这个原则，也就是说读写的地址均应为8的倍数 --- 因为其中涉及到的判断比较多，容易疏漏，如果有问题可以给我私信留言，我好修改后再上传。

基于AT32F4xx的flash读写操作例程 可移植到其他芯片 亲测可用 稳定可靠

STM32片内flash读写测试 实现数据掉电不丢失

本工程文件为串口通信固件IAP更新，分为user和BootLoader部分。内部有FLASH的读写库函数，IAP相关库函数，适用与STM32的F0-F4所有系列。使用时请根据具体芯片（FLASH页大小不同）修改宏定义。

C8051F330单片机FLASH读写操作，以及串口9600波特率收发，等完整工程代码，里面有ADF4351,HMC830锁相环代码，射频硬件必备代码。

MC9S12XEP100 D_FLASH读写，外部晶振为16MHz，初始化无需考虑锁相环.

STM32F103读写flash333333333333