EPM240 CPLD开发板Verilog HDL设计SRAM读写Quartus 13.1工程密码+设计说明文档。SRAM 芯片时序操作大同小异,在这里总结一些它们共性的东西,也提一些用 Verilog
简单的快速操作 SRAM 的技巧。
这里就以本实验使用的 IS62LV256-70U 为例进行说明。其管脚定义如表 5.18 所示。
表 5.18 SRAM 管脚定义
序号 管脚 描述
1 A0-A14 地址输入。
2 CEn 芯片使能输入,低有效。
3 OEn 输出使能输入,低有效。
4 WEn 写使能输入,低有效。
5 I/O0-I/O7 数据输入/输出。
6 VCC 电源。
7 GND 数字地。
具体在硬件连接的时候,其实很多人喜欢直接把输出使能信号 OEn 和片选信号 CEn 接
地,这样一来不仅节省了处理器和 SRAM 连接的管脚数,而且在读写 SRAM 的时候其实只要
对写使能信号 WEn 操作就可以了,简化了代码部分。本设计的硬件原理图如图 5.23 所示。
图 5.23 SRAM 接口
因为在硬件上已经把 CEn 和 OEn 拉低了,所以在不进行写 SRAM 的时候,实际上 SRAM
的数据总线上的值是对应地址总线的数据。为了避免误操作,可以把地址总线置高阻态,如
果不去操作数据总线(最好不是复用的数据总线)也无大碍。因为这样简化了设计。对于
SRAM 的操作时序,只要关心地址总线、数据总线和写使能 WEn 信号。读写时序分别如图
5.24 和图 5.25 所示。