提出了一种超结(SJ)VDMOS,其沟槽栅极下方具有高k(HK)介电柱,并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度,从而降低了比导通电阻(Ron,sp),而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下,HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度,从而提高了击穿电压(BV)。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱,以进一步降低Ron,sp。 与传统的SJ VDMOS相比,R on,sp降低了42%,BV增加了15%。
2024-05-28 15:16:19 649KB Charge Dielectric Doping
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本文设计并研究了一种由微带线激励的嵌入式电介质谐振天线(EDRA)。 这种新颖的设计由介电常数ε_s等于4.5(Roger TMM 4:trade_mark:)的50×50 mm2基板组成。 主辐射结构由Roger RT Duroid 6010/6010 LM(tm),介电常数ε_r= 10.2和0.0025的损耗角正切组成,在12.4 GHz处的尺寸为0.21λ×0.73λ×0.57λ。 拟议中的天线的辐射效率为90.51%,在11 GHz时的峰值增益为6 dB。 该天线在12.48 GHz处表现出33.03 dB的最大回波损耗,其稳定的阻抗带宽为12.98%。 所提出的天线适用于车载雷达系统,成像和现代无线通信系统。
2022-11-29 20:01:56 628KB Dielectric Resonator Antenna (DRA)
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Multilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_dielectric_K_CalMultilayer_die
2022-05-06 14:08:51 532KB Multilayer_diele
栅极电介质厚度和半导体厚度对并五苯有机场效应晶体管器件性能的影响
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我们数值研究碲介电共振器超材料在红外波长下的电磁性能。 详细研究了周期性碲超材料结构的透射光谱,有效介电常数和磁导率。 结构在磁场Wx方向上的线宽对电谐振和磁共振模式的位置和强度有影响。 通过适当优化设计结构的几何尺寸,所提出的碲超材料结构可以在相同频带中提供电共振模式和高阶磁共振模式。 这将有助于分析和设计红外波长下的低损耗负折射率超材料。
2021-03-02 18:06:22 1.27MB metamaterials; dielectric; resonator
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A multi-focus optical fiber lens is numerically demonstrated based on an all-dielectric metasurface structure. The metasurface consists of an array of rectangular silicon resonators with varying widths in order to obtain the required phase distribution. The core diameter of the multimode fiber is large enough to contain sufficient resonance units. The spatial distribution of the dielectric resonators is dictated by spatial multiplexing, including interleaving meta-atoms and lens aperture divisio
2021-03-01 17:05:55 857KB 论文
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A new method for increasing laser induced damage threshold (LIDT) of dielectric antireflection (AR) coating is proposed. Compared with AR film stack of H2.5L (H:HfO2, L:SiO2 on BK7 substrate, SiO2 interfacial layer with four quarter wavelength optical thickness (QWOT) is deposited on the substrate b
2021-02-10 16:05:29 639KB 减反膜 损伤阈值 310.1210 140.3330
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多铁六角铁氧体Sr取代Zn2-Y的磁和介电性能,徐芳,白洋,本文研究了Sr取代的六角铁氧体Ba2-xSrxZn2Fe12O22(1.0≤x≤1.5)的磁和介电性能。Sr取代可以引起铁氧体中阳离子占位的变化,阳离子占位的变�
2020-01-09 03:12:36 289KB 首发论文
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Broadband Dielectric Spectroscopy,F. Kremer · A. Schönhals,springer
2019-12-21 22:26:19 12.04MB Dielectric, Spectroscopy
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介质谐振器天线,介质谐振器天线,介质谐振器天线,介质谐振器天线,介质谐振器天线,
2019-12-21 20:15:47 8.63MB dielectric resonator antenna
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