当DRAM的电容器存储了电荷时，对于FET来说，形成反偏置状态，必然会发生漏电流，图1中图示了这一点。因为在如图所示的方向上存在电流，因此DRAM单元的电容器将必然进行放电。所以，需要定期将单元的状态恢复为初始状态，这称为刷新操作。            图1 DRAM单元的漏电流 　　通过时间过程与单元电压的关系表示的刷新操作思路如图2所示。如果放置电容器则电容器极间电压将如图中虚线那样按指数函数下降，一旦超过阈值，则存储状态将发生反相。因此，在超越阈值之前，必须定期将存储状态恢复为原始的水平，即进行刷新。执行刷新操作的方式存在若干种，这些将在后面进行叙述。 图2  刷新操作