:针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题,设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构,第一级为差分结构的折叠式共源共柵放大器,并采用MOS 管作为电阻,进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比;第二级采用以NMOS 为负载的共源放大器结构,提高增益和输出摆幅。基于LITE-ON40V 1.0 μm 工艺,采用Spectre 对电路进行仿真。仿真结果表明,电路交流增益为125.8 dB,相位裕度为62.8°,共模抑制比140.9 dB,电源电压抑制比125.5 dB。
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理论推导出测量放大器的共模抑制比等于第一级放大器的放大倍数乘以后级放大器的共模抑制比。
2021-09-21 21:00:32 265KB 测量放大器 CMRR 理论计算
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