从调整电路结构着手，介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。
2023-04-07 20:23:23
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提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源。电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器，而是采用负反馈技术实现电压箝位，简化了电路结构；输出部分采用调节型共源共栅结构，保证了高的电源抑制比。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现，并用HSPICE进行仿真，结果表明所设计的电路在-45℃～125℃范围内的温度系数为12.9×10-6/℃，频率为10Hz时的电源抑制比为67.2dB。该结构可应用于高速模数转换器的设计中。
2022-07-20 11:56:30
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提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。
2021-08-16 01:42:29
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