通常，在基于Cu（In，Ga）Se2（CIGS）的高效太阳能电池中使用硫化镉缓冲层。 由于镉的毒性，已经进行了许多研究以使用无镉缓冲层。 我们的工作集中在这种基于CIGS的太阳能电池上，其中CdS被ZnS缓冲层替代。 在这项贡献中，AFORS-HET软件用于模拟n-ZnO：Al / i-ZnO / n-ZnS / p-CIGS / Mo多晶薄膜太阳能电池，其中关键部分是p-CIGS吸收层和n-ZnO。 ZnS缓冲层。 研究了这些关键部分的特性：吸收层的厚度和Ga含量，缓冲层的厚度以及吸收层和缓冲层的掺杂浓度，以优化转化效率。 我们发现最大转换效率为26％，短路电流为36.9 mA / cm2，开路电压为824 mV，填充系数为85.5％。

使用SCAPS-1D软件，通过数值模拟研究了不同缓冲层成分对CuInGaSe2太阳能电池性能的影响。 模拟器件的主要光伏参数：开路电压（Voc），短路电流（Jsc），填充系数（FF）和转换效率（h），根据不同缓冲层中厚度和温度的函数进行分析用过的。 根据数值模拟，对于CdS缓冲层，CIGS太阳能电池的转换效率最高（23％）。 实验结果证实了这一结果（20％）。 在300 K下，当缓冲层（CdS，ZnS，ZnSe，InSe2）的厚度从100 nm增加到500 nm时，其他参数保持不变时，效率会降低。 当温度从300 K升高到400 K时，在其他参数保持不变的情况下，开路电压和转换效率也会降低。 还分析了ZnS / CdS双缓冲层的效果，其效率比单缓冲CdS高出3％。