第四章 电容的建模 精确的 MOSFET 电容模型和 DC 模型的作用一样重要。本章就是要描述在 BISM3v3.2.2 中基于器件物理理论的本征电容和非本征电容模型。详细的模型方程在附录 B 中给出. BISM3v3.2.2 的一个重要特征就是引进了一个新的本征电容模型（capMod=3 作为电容模型典 型值），考虑了由量子效应引起的有限电荷厚度，而这个效应对于薄栅氧 Tox COMS 技术来 第 33 页

2.8 有效沟道长度与沟道宽度 在所有的模型表达式中，有效沟道长度和有效沟道宽度由以下公式给出： 2eff drawnL L dL= − （2.8.1） 2eff drawnW W dW= − （2.8.2a） ' 2eff drawnW W dW= − ' （2.8.2b） 公式（2.8.2a）和公式（2.8.2b）的唯一区别是前者包含了偏压的影响。参数 dW 和 dL 采 用如下公式进行建模： ' ' ( )g gsteff b s bseff s l w wl int Wln Wwn Wln Wwn dW dW dW V dW V W W W dW W L W L W φ φ= + + − − = + + + （2.8.3） l w wl int Lln Lwn Lln Lwn L L L dL L L W L W = + + + （2.8.4） 下面对以上复杂的公式进行一些解释。根据公式（2.8.3），变量Wint代表了传统方式提取 “delta W”所得的值，亦即，1/Rds vs. Wdrawn曲线的截距。增加参数dWg和dWb是为了考虑前栅 和背衬底偏压效应的贡献。对于dL，参数Lint代表了传统方式提取“delta L”所得的值（Rds vs. Ldrawn曲线的截距）。 dW 和 dL 中余下的项是为了用户使用方便。这意味着允许用户将每一个参数建模为 W(drawn)、L(drawn)以及二者乘积项 WL 的函数。另外，BSIM3v3 的用户还可以建模为更复杂 的形式，以及，不是简单地与 W 和 L 成反比。对于 dW，可使用参数 Wln 和 Wwn。对于 dL， 可使用参数 Lln 和 Lwn。 第 22 页

BSIM3v3 是最新的基于物理的深亚微米 MOSFET 模型，适用于数字和模拟电路设计，由 Berkeley 加州大学的器件组开发。BSIM3v3 相比上一个版本（BSIM3v2）做了大量的修改，包 括