内容概要：本文详细介绍了基于TSMC 65nm RF工艺库的射频集成电路（RFIC）设计，涵盖低噪声放大器（LNA）、混频器（MIXER）和功率放大器（PA）。通过具体实例展示了如何利用工艺库进行电路设计、仿真和优化，强调了实际工程经验和工艺特性对设计的影响。文中提供了大量代码片段和仿真技巧，帮助读者更好地理解和应用这些复杂的设计方法。
适合人群：具有一定射频电路基础知识的研发人员和技术爱好者，尤其是希望深入了解RFIC设计细节的人群。
使用场景及目标：① 学习如何在实际工程中应用TSMC 65nm RF工艺库进行LNA、MIXER和PA设计；② 掌握射频电路设计中的关键技术和仿真技巧；③ 提升对工艺特性和非理想因素的理解，避免常见设计错误。
其他说明：本文不仅提供理论指导，还分享了许多实际操作中的宝贵经验，如噪声系数优化、本振泄露控制、阻抗匹配等，有助于提高设计成功率和性能。
2025-08-20 23:10:56
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2022-06-07 23:20:01
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TCMC65nmGP与LP工艺比较，李立，程旭，本文主要针对TSMC65nm工艺进行深入研究，充分比较了GP（General Purpose）和LP（Low Power）两种工艺下漏电，跨导增益和MOS开关导通电阻这三个
2021-10-11 10:43:53
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