中芯国际SMIC 55nm CMOS PDK，包含基本器件及rf器件，可导入Cadence进行设计使用。
2021-11-02 14:50:19
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通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究，顾林，，55纳米低功耗平台（55LP）的器件工艺窗口不足是长期存在的一个问题，主要表现为两个方面：1. 器件速度偏慢导致的晶圆边缘（W/E）Mbist�
2021-07-07 22:01:07
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