摘　要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法，并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好，栅氧耐压达到本征击穿，阈值电压2.8V，导通电阻仅25m Ω，器件综合性能良好。 　　1 引言 　　功率金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、

本项目分享的是ACS758制作的±100A数码电流表全套设计资料，供网友参考学习。该±100A数码电流表采用STM32F103C8T6为主控芯片，通过ADC采集霍尔电流传感器ACS758的输出电压，并把采集到的电压转换成对应的电流值通过数码管进行显示。基于ACS758霍尔电流传感器的±100A数码电流表实物截图: 附件资料截图: 可能感兴趣的项目设计: 简易制作4档位数字万用表设计（原理图、PCB源文件程序源码等），https://www.cirmall.com/circuit/4967/detail?3

描述 TIDA-01141 TI 参考设计为 ±100A 基于分流器的高侧连续双向电流测量解决应用（例如电池电流监控以及 UPS、通信整流器和服务器 PSU 中的电流监控）提供参考解决方案。该设计可通过低分流电阻值实现高精度，从而降低功率损耗并减小分流器尺寸。 特性 基于分流器的 ±100A 连续双向电流测量解决方案，适用于精确电流监控应用 在 25˚C 至 85˚C 的温度范围内实现小于 1% 的极高直流精度 低分流值可降低功率损耗并提高系统效率 高侧电流传感解决方案，适用于范围为 6V 到 60V (12V/24V/36V/48V) 以及高达 80V 共模电压的电池 可针对电流传感进行调节，甚至接近快速开关节点，无需任何外部共模滤波 通过可编程的阈值，在任一方向实现快速 (<10us) 过电流故障警报，从而实现系统安全性

摘　要：分析了功率MOSFET 额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法，并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好，栅氧耐压达到本征击穿，阈值电压2.8V，导通电阻仅25m Ω，器件综合性能良好。 　　1 引言 　　功率金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、智能

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