给出了一种利用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现的2.5Gb/s跨阻前置放大器。此跨阻放大器的增益为66.3dBΩ，3dB带宽为2.18GHz，等效输入电流噪声为112.54nA。在标准的1.8V电源电压下，功耗为7.74mW。输入光功率为-10dBm时，PCML单端输出信号电压摆幅为165mVp-p。模拟结果表明该电路可以工作在2.5Gb/s速率上。

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内容概要：本文详细介绍了基于SMIC 0.18μm工艺的锁相环（PLL）电路设计及其仿真实践。首先概述了锁相环的基本原理，包括鉴相器、低通滤波器和压控振荡器（VCO）的作用。接着具体讲解了SMIC 0.18μm工艺下锁相环电路的设计细节，特别是环形VCO的应用。文中还展示了部分代码片段，帮助读者更好地理解电路设计。最后，通过仿真软件验证了电路的性能，锁定频率约为400MHz，输出结果理想，证明了该电路的稳定性和高效性。 适合人群：对模拟IC设计感兴趣的初学者，尤其是希望深入了解锁相环电路设计的学生和技术爱好者。 使用场景及目标：① 学习锁相环电路的基本原理和组成部分；② 掌握SMIC 0.18μm工艺下的锁相环电路设计方法；③ 通过仿真工具验证电路性能，提高实际操作技能。 其他说明：本文不仅提供了理论知识，还包括实际代码和仿真结果，有助于读者全面掌握锁相环电路设计的基础知识和实践经验。

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SMIC 0.18BCD的高压工艺库。由于软件版本问题，在后面跟新的版本只支持OA格式的工艺库，而大部分工艺库是CBD格式的。

OpenJDK11U-jdk_x64_windows_hotspot_11.0.18_10.msi

PTX760&MCX760;+写频软件10年6月版(R06.00.18)

摩托罗拉PTX760 R06.00.18 CDROM(1)新版.zip写软件。使用正常。

为了在更高的电源电压下工作，并便于匹配网络的设计，电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器的中心工作频率为2.45 GHz，并利用Cadence公司的spectreRF进行仿真。

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