（上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。关键词：等效扩散长度,像对比度,能量裕度,光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)07-0039-041 引言 化学增幅光刻胶在248nm和193nm光刻工艺中被广泛应用。化学放大的过程需要光致酸在空间上扩散开来，从而实现化学放大的催化反应。由于扩散的随机性，它会使空间像的对比度下降、掩模版误差因子的升高、及能量裕度

0.13um-shrink工艺的嵌入式闪存的耐久性特性研究_V2.0 修改 冯鹏 0918.zip

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该工艺包是ADS使用的PDK文件，工艺是台积电TSMC0.13umCMOS工艺，给射频集成电路设计人员提供EDA辅助设计。

最新 台积电ADS工艺库，里面有详细的安装说明，亲测可以用，130nm工艺。