基于预放大锁存理论,设计了一种高速钟控比较器,它包括三个主要部分:预放大器、判断级电路、输出缓冲器。在SMIC 0.18μm CMOS工艺模型和1.8 V电源电压下,采用Hspice对比较器电路进行仿真,结果表明在500 MHz的时钟频率下,精度可达0.3 mV,功耗仅为26.6μW。该电路可以应用在高速Flash ADC电路中。

摘要：在比较反转触发器(TFF)的各种结构的基础上,给出了一种单时钟信号控制实现超高速分频的电路结构,以及具体设计过程。分频器使用动态负载,输出两路互补信号。采用SMIC 0.18um 1P6M CMOS工艺,在电源电压为1.8 V的情况下,仿真实现了工作速度10 GHz(可工作频率范围为1~13.5 GHz)、功耗仅为3.1 mW的二分频器,可用于超高速锁相环、时钟数据恢复设计中。 　　0. 引言 　　分频电路在频率合成、光纤通信、无线通信等系统中有着广泛应用。在高速通讯系统中， 当数据传输速率达到或超过10GB/s时，传统的实现方法是采用双极性硅、GaAs、InP等工艺 实现[2]，但

本手册编写了列入我国集成电路系列品种国家标准的高速CMOS电路的有关数据，共有HC和HCT两个系列，编入了按器件功能分类的索引等。

标准数字电路54-74HC全系列高速CMOS数据手册中文.rar.pdf标准数字电路54-74HC全系列高速CMOS数据手册中文.rar.pdf标准数字电路54-74HC全系列高速CMOS数据手册中文.rar.pdf标准数字电路54-74HC全系列高速CMOS数据手册中文.rar.pdf

可以用于基于cmv2000 CMOS Image Sensor的高速相机设计

“随着数／模转换器（DAC）、模／数转换器（ADC）的广泛应用，高速运算放大器作为其  部件受到越来越广泛的关注和研究。速度和  是模拟集成电路的2个重要指标，然而速度的提高取决于运放的单位增益带宽及单极点特性并相互制约，而  则与运放的直流增益密切相关。在实际应用中需要针对运放的特点对这2个指标要进行折衷考虑。　　1运放结构与选择　　根据需要，本文设计运算放大器需要在较低的电压下能有大的转换速率、快的建立时间，同时要折衷考虑增益与频率特性及共模抑制比（CMRR）和电源抑制比（PSRR）等性能。　　常见的用于主运放设计的结构大致可分3种：两级式（TwoStage）结构、套简式共源共栅（Tele

高速CMOS数据转换器【半导体科学与技术丛书】 杨银堂