摘  要: 提出了一种使用有源电感的电路实现方案, 可用于宽带无线收发机射频放大电路的设计中。分析了有源电感的阻抗与各元件取值的关系, 设计了中心频点调节电路和具有鲁棒性的偏置电路, 保证工艺偏差和电源电压波动对有源电感的阻抗具有很弱的影响。在SM IC 0. 18- um 工艺下进行了电路设计和流片验证, 测试结果表明, 使用有源电感的射频放大电路,可以得到期望的射频信号, 其中心频点的调节范围为0. 5~ 2 GH z, 能够抵御高达0. 8 V的电源偏差。 　　在无线收发机中, 射频放大电路在放大射频信号以及驱动发射机功放等应用上具有不可替代的作用。射频放大电路传统的实现方法是使用无源

在传统的电流模电压基准结构下，基于一阶补偿后的电压基准输出特性，设计了一个简单的高、低温补偿电路，在宽的温度范围内(-50~150 ℃)，显著提高了电压基准的精度。同时，对电路进行简单的改进，输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真，在1.5 V的电源电压下，PSRR为-83.6 dB，温度系数为2.27 ppm/℃。

行业-电子政务-具有宽频带高电源抑制比的低压差电压调整器.zip

高电源抑制比CMOS带隙基准1.pdf

设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB；加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028 mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100 kHz处，PSR为-84.4 dB，输出噪声为8.3 nV/[Hz]，在1 MHz处，PSRR为-50.6 dB，输出噪声为6.9 nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。