近年来，PDA、数字相机、手机、可携式音讯设备和蓝芽设备等越来越多的产品采用锂电池作为主要电源。锂电池具有体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、高电压电池和自放电率低等优点，与镍镉、镍氢电池不太一样，锂电池必须考虑充电、放电时的安全性，以防止特性劣化。针对锂电池的过充、过度放电、过电流及短路保护很重要，所以通常都会在电池包内设计保护线路用以保护锂电池。 　　由于锂离子电池能量密度高，因此难以确保电池的安全性。在过度充电状态下，电池温度上升后能量将过剩，于是电解液分解而产生气体，因内压上升而产生自燃或破裂的危险；反之，在过度放电状态下，电解液因分解导致电池特性及耐久性劣化，因而降低可充电次

FSDW03 ，内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置 MOSFET，是用于单节锂离子/锂 聚合物可再充电电池的保护 IC。 本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。 2. 特点 FSDW03 具备如下特点： （1） 高精度电压检测电路  过充电检测电压 4.30V 精度±50mV  过充电释放电压 4.15V 精度±70mV  过放电检测电压 2.45V 精度±100mV  过放电释放电压 3.00V 精度±100mV