铁电存储（FRAM）的工作原理描述，包括图片。 中文版。

摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口，着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 关键词：铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35μm工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的

铁电存储器fram选型指南

铁电存储器的原理及应用

铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用.pdf

2022-2028全球与中国铁电存储器市场现状及未来发展趋势.docx

铁电存储器 FM25L04B F-RAM指南（中文）翻译：FM25L04B 是使用了高级铁电工艺的 4 Kbit 非易失性存储器。铁电性随机存取存储器 （即 F-RAM）是一种非易失性存储器，其读和写操作方式与 RAM 一样。它提供 121 年的可靠数据保留时，并解决了由串行闪存、 EEPROM 和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。

摘要：介绍兼备RAM和ROM特性的铁电存储器FM24C64，该器件具有极长的擦写寿命、快捷的写入速度和超低功耗等特点，是高可靠数据存储系统的理想器件。详细描述这种新型存储器的性能特点、工作原理、读写时序及操作特点，并给出在单片机数据存储系统中的应用方法。关键词：铁电存储器I2C总线；单片机；应用FerroelectricMemoryFM24C64BasedonI2CBusandItsapplicationLiMin，MengchenAbstract:TheferroelectricmemoryFM24C64whichhasthecharacteristicsofbothRAMandROMisi

FM25L16铁电存储器与F020读写 unsigned char SpiReadWrite(unsigned char c) { SPIF = 0; SPI0DAT = c; while (SPIF == 0); return SPI0DAT; } /* unsigned char FMRead(unsigned int addr) { unsigned char b; fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_READ); SpiReadWrite(addr >> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); b = SpiReadWrite(0); _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); return b; } void FMWrite(unsigned int addr, unsigned char b) { fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_WREN); _nop_(); _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_WRITE); SpiReadWrite(addr >> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); SpiReadWrite(b); _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); } */ void FMReadPage(unsigned int addr, unsigned char * index, unsigned char n) { unsigned char i; fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_READ); SpiReadWrite(addr >> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); for(i=0;i> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); for(i=0;i

2021-09-13 11:18:57 2KB 铁电存储器

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