LM3S写的铁电FM25L256程序，已验证，有简单注释，能看明白

[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.65-[PbTiO3]0.35/P(VDF-TrFE) 70/30 0-3型压电复合材料介电、压电和铁电性能的研究，孙威 ，卢斌，采用热模压法制备不同体积分数的单晶粉末铌镁酸铅－钛酸铅/聚偏三氟乙烯[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.65-[PbTiO3]0.35/P(VDF-TrFE) 70/30 0－3型压电复合材料

富士通铁电随机存储器FRAM技术资料

铁电存储（FRAM）的工作原理描述，包括图片。 中文版。

摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口，着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 关键词：铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35μm工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的

基于89c51的fm24c256存储源程序，仿真通过了的，完全可以用的

铁电MB85RC64驱动程序，需要的可以下载看看，应用在STM32上面的。

铁电存储器fram选型指南

铁电存储器的原理及应用

铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用.pdf