衬底温度是影响ZnO薄膜特性的重要因素,可以在很大程度上改变薄膜的结晶结构,温度高低直接影响衬底表面吸附原子的表面迁移率,再蒸发和结晶情况.在室温下测量了不同温度生长的ZnO薄膜的X射线衍射(XRD)曲线,探讨了最佳结晶质量所需的衬底温度.另外,从迁移率随温度的变化曲线上也得到同样的结果.

基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。

0 引言 　　迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。 　　1 迁移率μ的相关概念 　　在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比为： 　　式中μ为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场流子的平均漂移速度，单位是m2／V·s或cm2／V·

在2.5.6节提到过，在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中，我们对载流子（空穴和电子）移动所需能量和其移动的速度都感兴趣。移动的速度叫做载流子迁移率，空穴比电子迁移率低。在为电路选择特定半导体材料时，这是个非常值得考虑的重要因素 。 分类 电子 例子 导电率 1．导体 ====移动 金、铜、银 2．绝缘体 无法移动 玻璃、塑料 3．半导体a．本征的 有些可以移动 锗、硅、3到5族元素 B．掺杂的 受控的部分可以移动 N型半导体P型半导体 图2.12 材料的电分类 N型 P型 1．导电 电子 空穴 2．极性 负 正 3．掺杂术语 授主 受主 4．在硅中掺杂 砷、磷、锑 硼 图2.13

prbs代码matlab AMSET 从头算模型，用于使用Boltzmann输运方程计算迁移率和塞贝克系数。 目前正在开发Python中的AMSET，预计在2016年夏季之前发布。如果您对MATLAB源代码有兴趣，请联系 同时，请随时在nanoHUB上使用闭源版本： 引文 可以在以下位置找到PRB论文：

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UV通信中迁移率特征与选择性最大比合并算法的实验研究

高迁移率场效应晶体管中太赫兹辐射的等离子体波共振检测分析。