0 引言 　　迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。 　　1 迁移率μ的相关概念 　　在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比为： 　　式中μ为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场流子的平均漂移速度，单位是m2／V·s或cm2／V·

在2.5.6节提到过，在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中，我们对载流子（空穴和电子）移动所需能量和其移动的速度都感兴趣。移动的速度叫做载流子迁移率，空穴比电子迁移率低。在为电路选择特定半导体材料时，这是个非常值得考虑的重要因素 。 分类 电子 例子 导电率 1．导体 ====移动 金、铜、银 2．绝缘体 无法移动 玻璃、塑料 3．半导体a．本征的 有些可以移动 锗、硅、3到5族元素 B．掺杂的 受控的部分可以移动 N型半导体P型半导体 图2.12 材料的电分类 N型 P型 1．导电 电子 空穴 2．极性 负 正 3．掺杂术语 授主 受主 4．在硅中掺杂 砷、磷、锑 硼 图2.13

有机体异质结太阳能电池中电荷载流子迁移率效应的建模

搭建了一套基于Photo-CELIV测量载流子迁移率的实验系统。采用Nd3+YAG脉冲激光器作为诱导光源，在1~20 Hz的工作频率下，实验系统可输出波长为532 nm、脉宽为10 ns的激光脉冲，其能量在0.1~1 mJ范围内可调，光斑直径小于2 mm，激光器持续工作5 h后的能量不稳定度为±8%。该研究为半导体材料载流子迁移率的测量提供了一定的参考。