在费米实验室的短基线中微子（SBN）程序的光束中将产生质量在MeV范围及以下的几乎无菌的中微子。 在本文中，我们研究了SBN通过其探测器随后的衰变发现这些粒子的可能性。 我们讨论了在标准模型的最小和最小扩展中在SBN处可见的衰减，并执行模拟以计算可放置在没有信号的情况下的参数空间约束。 我们证明了SBN程序可以在N→νl + l-和N→l±π∓等严格约束的通道上扩展现有边界，而由于液氩技术的强大粒子识别能力，它们也经常将边界设置在 N→νγ和N→νπ0等被忽略的通道。 此外，我们考虑了改进的事件定时信息在三个检测器上的现象学影响。 除了考虑其在减少背景方面的作用外，我们还注意到，如果SBND和ICARUS中的光检测系统可以达到纳秒级的时间分辨率，则可以直接观察到有限无菌中微子质量的影响，从而为此类提供了吸烟枪的特征。 模型。 我们始终强调，寻找重度几乎不育的中微子是对eV级振荡进行搜索的补充新的物理分析方法，它将扩展SBN的BSM程序，而无需对光束或探测器进行修改。

我们探索了一种新的中性规玻色子（Z'）的物理原理，该玻色子仅耦合至第三代粒子，并且质量接近电弱规玻色子质点。 考虑了由顶夸克产生并衰变为tau轻子的Z'玻色子。 通过简单的搜索策略，并从对标准模型规格玻色子产生的现有分析与最高夸克的关系中获得启发，我们表明，即使在高位出现时，大型强子对撞机对Z'玻色子的模型参数空间也具有良好的排斥能力 发光时代。 结果表明，tt′Z′过程允许人们对Z′玻色子的右手顶部耦合施加限制，该Z′玻色子优先耦合到第三代费米子，目前它们受到的约束非常弱。

某些新物理学在能量尺度Λ上与标准希格斯扇形所产生的偏差可以用有效的SU（3）c×SU（2）L×U（1）不变维六维不可重整化拉格朗日项来描述。 利用有效算子对国际直线对撞机（ILC）上的各种希格斯玻色子产生×衰减通道（γγ，ZZ，WW，bb，ττ）进行了系统的研究。 使用统计方法，使用希格斯玻色子生产渠道的预期ILC准确性，建立标准希格斯部门与即将到来的数据的一致性程度。 全局拟合在两个参数的异常耦合空间中，表明与标准的希格斯费密子和希格斯玻色子玻色子耦合可能存在偏差。

违反轻子风味（LFV）的过程<math> e + e − → e + τ 研究了由国际直线对撞机（ILC）的四费米接触相互作用引起的- </ math>。 考虑到事件选择条件，表明ILC对较小的L敏感。

通常会调用新的弱耦合轻粒子来解决（g-2）μ中持续存在的〜4σ异常，并充当暗物质与可见物质之间的媒介。 如果此类粒子主要与较重的粒子耦合并且不可见地衰变，则现有实验技术将无法访问它们的大多数最佳参数空间。 在本文中，我们提出了一种新的固定目标，缺少动量的搜索策略，以探测优先与μ子耦合的无形衰变粒子。 在我们的设置中，相对论性的μ子束撞击到厚的活动目标上。 信号由事件组成，在这种事件中，介子在目标内部失去了很大一部分入射动量，而没有在下游否决系统中启动任何可检测到的电磁或强子活动。 我们建议在费米实验室（Fermilab）进行两阶段实验，即M3（Muon缺失动量）。 在目标上具有〜1010微米的第一阶段可以测试剩余的参数空间，对于这些粒子空间，可见光衰减粒子可以解决（g-2）μ异常，而在目标上具有〜1013微米的第二阶段可以测试整个目标区域的大部分预测参数空间。 哪个GeV暗物质通过包括测得的U（1）Lμ-Lτ的μ-亲子力实现了冻结。

各温区费米能级位置 （1）低温弱电离区：未完全电离区 （4）过渡温度区:完全电离区，开始有少量本征激发。 (3) 强电离区：完全电离区 (2) 中间电离区:未完全电离区 (5) 高温本征激发区：

网络技术-综合布线-温度对厚膜世界及其上费米子局域化的影响.pdf

我们提出了一种预测性的惰性两希格斯二重态模型，其中标准模型（SM）的对称性由S3⊗Z2⊗Z12扩展，并且场内容由额外的标量场，带电的外来费米子和两个重的右手的马洛纳纳中微子所扩大。 带电的外来费米子产生非平凡的夸克混合，并为第一代和第二代带电费米子提供单回路级质量。 轻活性中微子的质量是从一回路级辐射跷跷板机制产生的。 我们的模型成功地解释了观察到的SM费米子质量和混合模式。

费米

该 m 文件提供了有关一些半导体基本原理的信息，即费米-狄拉克积分、能带隙与温度的关系、本征载流子密度以及作为温度和掺杂浓度函数的 Si、Ge 和 GaAs 中的费米能级位置（在这些图中，还显示了带隙和费米本征能级对温度的依赖性。 对于费米能级的计算，电荷中性方程通过假设费米-狄拉克统计而不是麦克斯韦-玻尔兹曼统计进行数值求解。 由于上述原因，该程序可用于计算非简并或简并半导体的费米能级位置。 可以将掺杂浓度更改为 Fermi_Level.m（第 9 行）中的特定值。 期刊： 参考文献 1：固态电子学，25, 1067 (1982) 参考文献 2：半导体物理电子学，Sheng S. Li。 pp 89 参考文献 3：Physica Status Solidi(b) vol。 188, 1995, 第 635-644 页图书： 半导体物理电子第二版。 斯普林格李盛生先进半导体基础第二版。