通常会调用新的弱耦合轻粒子来解决（g-2）μ中持续存在的〜4σ异常，并充当暗物质与可见物质之间的媒介。 如果此类粒子主要与较重的粒子耦合并且不可见地衰变，则现有实验技术将无法访问它们的大多数最佳参数空间。 在本文中，我们提出了一种新的固定目标，缺少动量的搜索策略，以探测优先与μ子耦合的无形衰变粒子。 在我们的设置中，相对论性的μ子束撞击到厚的活动目标上。 信号由事件组成，在这种事件中，介子在目标内部失去了很大一部分入射动量，而没有在下游否决系统中启动任何可检测到的电磁或强子活动。 我们建议在费米实验室（Fermilab）进行两阶段实验，即M3（Muon缺失动量）。 在目标上具有〜1010微米的第一阶段可以测试剩余的参数空间，对于这些粒子空间，可见光衰减粒子可以解决（g-2）μ异常，而在目标上具有〜1013微米的第二阶段可以测试整个目标区域的大部分预测参数空间。 哪个GeV暗物质通过包括测得的U（1）Lμ-Lτ的μ-亲子力实现了冻结。

各温区费米能级位置 （1）低温弱电离区：未完全电离区 （4）过渡温度区:完全电离区，开始有少量本征激发。 (3) 强电离区：完全电离区 (2) 中间电离区:未完全电离区 (5) 高温本征激发区：

网络技术-综合布线-温度对厚膜世界及其上费米子局域化的影响.pdf

我们提出了一种预测性的惰性两希格斯二重态模型，其中标准模型（SM）的对称性由S3⊗Z2⊗Z12扩展，并且场内容由额外的标量场，带电的外来费米子和两个重的右手的马洛纳纳中微子所扩大。 带电的外来费米子产生非平凡的夸克混合，并为第一代和第二代带电费米子提供单回路级质量。 轻活性中微子的质量是从一回路级辐射跷跷板机制产生的。 我们的模型成功地解释了观察到的SM费米子质量和混合模式。

费米

该 m 文件提供了有关一些半导体基本原理的信息，即费米-狄拉克积分、能带隙与温度的关系、本征载流子密度以及作为温度和掺杂浓度函数的 Si、Ge 和 GaAs 中的费米能级位置（在这些图中，还显示了带隙和费米本征能级对温度的依赖性。 对于费米能级的计算，电荷中性方程通过假设费米-狄拉克统计而不是麦克斯韦-玻尔兹曼统计进行数值求解。 由于上述原因，该程序可用于计算非简并或简并半导体的费米能级位置。 可以将掺杂浓度更改为 Fermi_Level.m（第 9 行）中的特定值。 期刊： 参考文献 1：固态电子学，25, 1067 (1982) 参考文献 2：半导体物理电子学，Sheng S. Li。 pp 89 参考文献 3：Physica Status Solidi(b) vol。 188, 1995, 第 635-644 页图书： 半导体物理电子第二版。 斯普林格李盛生先进半导体基础第二版。

NVIDIA费米架构白皮书：In order to take graphics to the next level of visual realism however, NVIDIA engineers recognized early on that we had to make our next architecture even more efficient than Kepler