(3) 建议的负载电容与对应的晶 体串行阻抗(RS) (4) RS = 30Ω 30 pF i2 HSE驱动电流 VDD=3.3V，VIN=VSS 30pF负载 1 mA gm 振荡器的跨导 启动 25 mA/V tSU(HSE) (5) 启动时间 VDD是稳定的 2 ms 1. 谐振器的特性参数由晶体/陶瓷谐振器制造商给出。 2. 由综合评估得出，不在生产中测试。 3. 对于CL1和CL2，建议使用高质量的、为高频应用而设计的(典型值为)5pF~25pF之间的瓷介电容器，并挑选符合要 求的晶体或谐振器。通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。 在选择CL1和CL2时，PCB和MCU引脚的容抗应该考虑在内(可以粗略地把引脚与PCB板的电容按10pF估计)。 4. 相对较低的RF电阻值，能够可以为避免在潮湿环境下使用时所产生的问题提供保护，这种环境下产生的泄漏和偏 置条件都发生了变化。但是，如果MCU是应用在恶劣的潮湿条件时，设计时需要把这个参数考虑进去。 5. tSU(HSE)是启动时间，是从软件使能HSE开始测量，直至得到稳定的8MHz振荡这段时间。这个数值是在一个标准 的晶体谐振器上测量得到，它可能因晶体制造商的不同而变化较大。 图21 使用8MHz晶体的典型应用 1. REXT数值由晶体的特性决定。典型值是5至6倍的RS。 使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟 低速外部时钟(LSE)可以使用一个32.768kHz的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的 信息是基于使用表24中列出的典型外部元器件，通过综合特性评估得到的结果。在应用中，谐振器 和负载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体谐振 器的详细参数(频率、封装、精度等)，请咨询相应的生产厂商。(译注：这里提到的晶体谐振器就是 我们通常说的无源晶振) 注意： 对于CL1和CL2，建议使用高质量的5pF~15pF之间的瓷介电容器，并挑选符合要求的晶体或谐振器。 通常CL1和CL2具有相同参数。晶体制造商通常以CL1和CL2的串行组合给出负载电容的参数。 负载电容CL由下式计算：CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray，其中Cstray是引脚的电容和PCB板或PCB 相关的电容，它的典型值是介于2pF至7pF之间。 警告： 为了避免超出CL1和CL2的 大值(15pF)，强烈建议使用负载电容CL≤7pF的谐振器，不能使用负载电 容为12.5pF的谐振器。 例如：如果选择了一个负载电容CL=6pF的谐振器并且Cstray=2pF，则CL1=CL2=8pF。 参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 42/87

晶体crystal负载电容的计算方法，经过多个板卡设计验证，稳定可靠

详细讲解晶振负载电容计算公式，负载电容的选型，负载电容等基本概念，芯片负载电容和PCB layout电容。

计算： 1.晶振的PPM换算； 2.晶振的累计误差计算； 3.晶振的负载电容计算； 4.晶振的匹配电容计算； 下载打开一用便知

描述如何计算晶振负载电容，记录相关注意点 从文档中可以了解

STM32晶振匹配电容计算表格