STM32通过PVD掉电检测实现，然后读写内部flash实现掉电数据存储的代码

研究了下LPC2138通过IAP读写内部512K的FLASH 为进行参数设置，ROM切换等等工作作准备。开发板晶振为12M 其实IAP频率设置不对也可运行。注意压缩包内图片上的设置选项。

PIC12F617单片机读写内部Flash程序。

STM32使用HAL库读写内部FLASH 测试环境： STM32F103RB 20KBytes RAM 128KBytes FLASH 头文件： //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// /** * @brief Create by AnKun on 2019/10/10 */ #ifndef __FLASH_H #define __FLASH_H #include main.h //////////////

STM32G070xx读写内部FLASH，本人使用STM32G070RET6芯片，使用LL库已调通，由于都是寄存器配置，使用HAL库时修改定义后也是可用；与STM32L4xx芯片配置基本相同，修改少量寄存器即可；

必要时候可以保存一些数据到stm32内部flash，在没有存储芯片情况下，还是挺好用的。

STM32L4xx读写内部FLASH，本人使用STM32L452RET6芯片，使用LL库已调通，由于都是寄存器配置，使用HAL库时修改定义后也是可用； 2019/11/20 后期调了STM32L471VETx芯片，发现擦页不能用，最终找到问题是FLASH页码不连号，只用修改擦页函数的页码号就可以成功擦页，就不再上传了（不适用STM32L4x1系列，需要修改擦页函数）；

支持按字，半字，字节读写，参考的是野火stm32自带的程序改写而成，下载之后直接在串口工具上查看结果

STM32F103C8T6 读写内部FLASH.zip

基于STM32F1系列芯片，读写内部FLASH例程！