只有在整个系统的初期设计时，对系统的电磁兼容性进行预测，对不满足电磁兼容要求的部分进行优化处理，才能最终实现整个系统的高可靠性。

利用格子Boltzmann大涡模拟(LBM-LES)方法,对较大雷诺数Re =2.4×105下翼型绕流的电磁控制进行数值研究.结果表明,LBM-LES方法计算过程简单,容易并行,适合处理该问题.

含分布源传输线的电压电流仿真计算，可以讨论传输线电磁干扰问题

不可多得的计算电磁学教学讲义,系统讲述了计算电磁学的基础理论。

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实心材料屏蔽效能的计算 入射波 场强 距离 吸收损耗A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B B 电磁波在穿过屏蔽体时发生衰减是因为能量有了损耗，这种损耗可以分为两部分：反射损耗和吸收损耗。 反射损耗：当电磁波入射到不同媒质的分界面时，就会发生反射，使穿过界面的电磁能量减弱。由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗。当电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面，因此要发生两次反射。因此，电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的反射损耗的总和。 对于电场波而言：第一个界面的反射损耗较大，第二个界面的反射损耗较小。对于磁场波而言，情况正好相反，第一个界面的反射损耗较小，第二个界面的反射损耗较大。 吸收损耗：电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁能量损失，损失的这部分能量称为屏蔽材料的吸收损耗。 多次反射修正因子：电磁波在屏蔽体的第二个界面（穿出屏蔽体的界面）发生反射后，会再次传输到第一个界面，在第一个界面发射再次反射，而再次到达第二个界面，在这个截面会有一部分能量穿透界面，泄漏到空间。这部分是额外泄漏的，应该考虑进屏蔽效能的计算。这就是多次反射修正因子。 源的位置对屏蔽效能计算的影响：如果辐射源在屏蔽机箱的外部（例如，屏蔽是为了机箱内的电路免受外界干扰的影响），则反射损耗和吸收损耗都对屏蔽效能有贡献。如果辐射源在屏蔽机箱内部（例如，屏蔽是为了抑制机箱内的电路辐射），则主要是吸收损耗对屏蔽效能有贡献，因为反射的能量总是在机箱内。

计算电磁学中的优秀书籍，详细介绍了各种快速算法

随着数字计算机在二十世纪六十年代中期的问世，解决电磁场问题新方法变成了可能。为了充分利用计算机的能力，多种新的技术种类被引进。在过去的三十年里，一个巨大的成果已经被运用到开发不同种类天线、散射体、被动微波电路和一些其他类似发明的数字化分析方法上。这些方法的目的是确定被分析结构内的电磁场（包括电流和电荷）的分布，既在他们的附近也在稍远的地方。这种分析通常被称作电磁建模。

这是一本我国早期敬业专家翻译出来的国外好书，外国专家写得好，中国专家翻译的好，不像目前个别翻译者纯粹是为了经济利益或者晋升。