肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。　　（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。　　不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。　　肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。　　另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。　　所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。　　二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。　　对上述的肖特基二极管上加电压。　　在0-t1时间内，给二极