QYResearch是全球知名的大型咨询公司，行业涵盖各高科技行业产业链细分市场，横跨如半导体产业链（半导体设备及零部件、半导体材料、集成电路、制造、封测、分立器件、传感器、光电器件）、光伏产业链（设备、硅料/硅片、电池片、组件、辅料支架、逆变器、电站终端）、新能源汽车产业链（动力电池及材料、电驱电控、汽车半导体/电子、整车、充电桩）、通信产业链（通信系统设备、终端设备、电子元器件、射频前端、光模块、4G/5G/6G、宽带、IoT、数字经济、AI）、先进材料产业链（金属材料、高分子材料、陶瓷材料、纳米材料等）、机械制造产业链（数控机床、工程机械、电气机械、3C自动化、工业机器人、激光、工控、无人机）、食品药品、医疗器械、农业等。 《全球绝缘体上硅市场研究报告》是由知名咨询公司QYResearch发布的，该报告详细分析了全球绝缘体上硅行业的市场规模、增长趋势以及主要生产商的市场份额。根据报告，2029年全球绝缘体上硅市场的规模预计将达55.9亿美元，年复合增长率(CAGR)为22.3%，这表明该行业在未来几年内将保持强劲的增长动力。 绝缘体上硅（Silicon on Insulator, SOI）是一种先进的半导体材料技术，它在硅基片上叠加一层绝缘层，以提高芯片性能和降低功耗，特别适用于高性能计算、射频通信和物联网等领域的应用。SOI技术的发展对于推动半导体行业的创新和进步至关重要。 2021年，全球绝缘体上硅市场的主要参与者包括Soitec、Shin-Etsu Chemical、NSIG、GlobalWafers和SUMCO等公司。这些公司在全球市场的份额占据了主导地位，其中前四大厂商的市场份额约为96.0%，显示出市场集中度相当高。SUMCO作为其中的一员，可能在技术和市场份额上具有显著优势。 QYResearch作为一家拥有16年历史的全球咨询公司，其业务覆盖了众多高科技产业的细分市场，包括半导体、光伏、新能源汽车、通信、先进材料、机械制造等多个领域。QYResearch的全球网络覆盖160多个国家，并在美国、日本、印度等地设有分支，具备强大的研究和咨询服务能力。 报告指出，半导体产业链是QYResearch关注的重点之一，涵盖半导体设备、材料、集成电路等多个环节，反映了绝缘体上硅在半导体行业的关键地位。此外，随着5G、物联网(IoT)和人工智能(AI)等新兴技术的发展，对高性能、低功耗芯片的需求日益增长，这也进一步促进了绝缘体上硅市场的发展。 总体来看，全球绝缘体上硅市场正处在快速发展阶段，技术创新和市场需求将推动这一领域持续扩大。主要生产商的竞争格局预示着行业内部整合和优化可能加速，对于投资者和业界参与者来说，理解市场动态和主要玩家的战略至关重要。未来，随着技术进步和新的应用领域开发，市场有望迎来更广阔的发展空间。

设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器，用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形，多模干涉区尺寸为6 μm×57 μm。在TE偏振中心波长为1.55 μm时，器件附加损耗为0.46 dB，不均匀性为0.06 dB。在1.49~1.59 μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55 dB。仿真结果表明所设计的2×2 MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀，符合片上集成系统的要求。

以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。

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优化绝缘体上硅肋形波导的几何形状，以实现最大连续波拉曼增益

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提出了一种在半导体-绝缘体-半导体波导中形成磁光布拉格光栅的高度可调太赫兹（THz）滤波器，并通过有限元方法进行了数值模拟。 结果表明，在具有缺陷的布拉格光栅波导的带隙中存在具有高Q值的尖峰，并且可以通过改变施加到器件的横向磁场的强度来极大地改变尖峰的位置。 与没有施加磁场的情况相比，当施加1 T磁场时，滤波后的频率（波长）的偏移高达36.1 GHz（11.4μm）。 此外，本文提出了一个简单的模型来预测滤波频率，并提出了一种有效的方法来提高滤波器的Q值。 （C）2013年作者。 除另有说明外，所有文章内容均根据知识共享署名3.0未移植许可证进行许可。 [http://dx.doi.org/10.1063/1.4812703]

高阶拓扑现象首次在电子领域提出，随后在光子、声子、机械波等领域也发现此现象。论文详细介绍了高阶拓扑现象的起源，存在的条件，实验方法简介

本书基于修正狄拉克方程，全面描述了一维到三维拓扑绝缘体。书中公式推导简明易懂，给出了一系列边界附近束缚态解的推导，并描述了解的存在条件。引进了拓扑绝缘不变性及其在一些列系统中的应用，如一维聚乙炔到二维量子自旋霍尔效应、p波超导体、三维拓扑绝缘体、超导体和超流。这些都可以很好地帮助学习者更好的理解这个神奇的领域。读者对象：本书是一部拓扑绝缘体专业及相关领域研究生和科研人员的教材和参考用书