1．输出电压(Output Voltage) 2．最大输出电流(Maximum Output Current) 3．输入输出电压差(Dropout Voltage) 4．接地电流(Ground Pin Current) 5．负载调整率(Load Regulation) 6．线性调整率(Line Regulation)

LDO线性稳压器中的折返式限流电路设计，张帆，吕亚兰，本文提出了一种低功耗、高可靠性的限流电路。通过增加折返功能有效地降低了电路的功耗，并且提高了系统的可靠性。对该结构原理进

设计了一种基于0．25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2．5 V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78 dB，负戢电流由1 mA到满载100 mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。

设计了一种基于0.25μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点，补偿误差放大器输出极点的方法，避免了为补偿LDO输出极点，而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单，芯片占用面积小，无需片外电容。Spectre仿真结果表明：工作电压为2.5V，电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为78dB，负戢电流由1mA到满载100mA变化时，相位裕度大于40°，LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。

CMOS低压差线性稳压器【王忆何乐年】

电压基准是LDO线性稳压器的核心部分，它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求，另一方面又有较高的精度要求，提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺，仿真结果显示，输出基准电压为1.213 V，静态电流为538 nA，在-55～125 ℃温度范围内，温度系数仅为10.58 ppm/℃，低频时的电源抑制比为-85 dB。

低压线性稳压器 LDO MST52系列

本文给大家分享了一个大电流输出线性稳压器电路图。

正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP.这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右;与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

线性稳压器(LDO)实验手册_（TI）.pdf