在水杨酸的存在下合成了对齐的聚苯胺纳米棒。 在樟脑磺酸（CSA）和对甲苯磺酸（pTSA）的存在下也形成了纳米棒和纳米管。 电导率测量表明，对准的纳米棒比未对准的纳米结构具有更好的导电性。 在某些情况下，还可以观察到纳米球。 细长的纳米结构或球的形成取决于苯胺单体与表面活性剂的摩尔比。 使用软模板形成纳米结构的这种方法通常称为无模板方法。 我们的成功促使我们探索无需使用模板即可获得相似的金属纳米结构的可行性。 我们成功地合成了铜和氢氧化铜纳米线。 当铜纳米线形成为网眼时，氢氧化铜纳米线形成为绕组束。 在改变反应物的添加顺序时，形成了氢氧化铜纳米带而不是束。 这些纳米结构的表征使用扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），透射电子显微镜（TEM），傅立叶变换红外光谱（FTIR）和四点探针进行，以测量电导率。 通过无模板方法制造的金属纳米线和有机纳米线都是用作聚合物纳米复合材料中填料的潜在候选材料。 人们发现聚合物纳米复合材料可用于许多先进的现代应用中，例如继续小型化的电子设备中的热界面材料，轻量化和坚固性很重要的航空航天工程，传感器，医学和催化活性。

纳米线光电探测器具有响应速度快，光电转换效率高的优点，可广泛应用于各个行业。 但是，丰富的表面态会导致较大的暗电流，并会阻碍高性能纳米线光电探测器的发展。 本文研究了硫表面钝化对单个GaAs纳米线光电探测器暗电流的影响及其机理。 表面钝化后，暗电流显着降低了约30倍。 我们确认暗电流减少的根源是表面态密度的减少。 结果，实现了具有7.18××10-2 pA的低暗电流和9.04××1012 cmHz0.5W-1的高检测率的单个GaAs纳米线光电探测器。 已经提出了一种实现高性能基于GaAs的光电检测器的简单方便的方法。

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