功率器件的开关过程是一个复杂的过程，无论是MOS还是IGBT，在使用中或多或少都会遇到震荡现象。有一篇论文对此做了一些研究，建议阅读一下。MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf 总结说来： ①在MOS开关过程中，如果栅极电阻较小，发生了栅极电压震荡，多半是因为MOS源极寄生电感太大导致。根据U=L*di/dt，我们可以知道，栅极电阻小，开通速度快，即di/dt大，如果L(寄生电感)也大，在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，在米勒平台附近产生栅极电压震荡。 ②如果栅极电阻较大，栅极电压升到米勒平台后发生跌落并引起米勒平台附近的震

对于MOSFET而言，米勒效应（MillerEffect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在MOSFET开关过程中，会使驱动信号形成平台电压，引起开关时间变长，进而导致开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。　　本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解，分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图：　　图一MOSFET的结构简图　　通过图一可知：N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝

MOSFET开通过程分析---米勒平台的形成过程：详细讲解了MOS管开通过程，对米勒平台如何形成做出了详细解释

MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制，对米勒平台震荡的原因进行了详细分析，并提供了一些解决经验。