由于IR2110内部不能产生负电压，因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰，对此研究了IGBT体寄生二极管反向恢复过程，并结合IGBT的输入阻抗米勒效应，分析出IR2110零电压关断毛刺干扰产生原因，最后对IR2110典型零电压关断电路进行改进，设计一种带负充电泵的IR2110关断电路。经实验验证，该电路可有效解决IR2110的零电压关断毛刺干扰问题，保证逆变器的工作稳定性。

功率器件的开关过程是一个复杂的过程，无论是MOS还是IGBT，在使用中或多或少都会遇到震荡现象。有一篇论文对此做了一些研究，建议阅读一下。MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf 总结说来： ①在MOS开关过程中，如果栅极电阻较小，发生了栅极电压震荡，多半是因为MOS源极寄生电感太大导致。根据U=L*di/dt，我们可以知道，栅极电阻小，开通速度快，即di/dt大，如果L(寄生电感)也大，在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，在米勒平台附近产生栅极电压震荡。 ②如果栅极电阻较大，栅极电压升到米勒平台后发生跌落并引起米勒平台附近的震

用C++语言编写的素性检验小工具，包含米勒罗宾素性检验 费马素性检验 欧拉素性检验······多种算法。

MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf

对于MOSFET而言，米勒效应（MillerEffect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在MOSFET开关过程中，会使驱动信号形成平台电压，引起开关时间变长，进而导致开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。　　本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解，分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图：　　图一MOSFET的结构简图　　通过图一可知：N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝

使用拉宾米勒算法流程写的源码，当时也是借鉴别人的，用来学习。有注释，可以帮你理解这个算法

模拟混合信号IC设计与仿真——两级全差分运算放大器的设计（详细的参数推导）

1、资源内容：讲解了MOS管在实际应用中导致米勒震荡的成因，以及在逆变电路中寄生电压产生的原因。 2、使用人群：硬件工程师，电力电子方向工作的技术人员。 3、创作目的：和广大工程师一起交流一起成长。

利用动态密勒补偿电路解决LDO 的稳定性问题

官网下的库，可能部分元器件不显示，考出来重新做一个就好。