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离子注入
原理及分析
课程内容: 1
离子注入
及其原理 1.1
离子注入
掺杂 1.2
离子注入
设备及工作原理 1.2.1 离子源 1.2.2 初聚系统 1.2.3 磁分析器 1.2.4 加速器 1.2.5 扫描器 1.2.6 偏束板 1.2.7 靶室 1.3
离子注入
的杂质分布曲线 1.3.1
离子注入
杂质分布的峰值在体内 1.3.2 峰值以内的杂质分布为高斯分布 2 晶格损伤及处理 2.1 晶格损伤 2.1.1 损伤原因 2.1.2 影响晶格畸变的因素 2.1.3 晶格损伤对器件性能的影响 2.2
2022-05-23 00:42:11
22KB
离子注入原理及分析
其它
1
音视频-图像处理-热处理对
离子注入
法制备的二氧化钛薄膜光学性能的影响.pdf
音视频-图像处理-热处理对
离子注入
法制备的二氧化钛薄膜光学性能的影响.pdf
2022-04-18 09:07:54
2.84MB
图像处理
音视频
人工智能
离子注入
相关概念及过程
离子注入
PPT解析,
离子注入
过程、射程分布、剂量等、反冲注入
2022-03-03 10:52:56
3.48MB
离子注入
加速器
射程分布
1
离子注入
工艺各个参数
本文以美国EA TON 公司的中束流注入机为例, 阐述了 IC 芯片生产过程中
离子注入
工艺如何实现高质量注入; 标准注入参数的调整, 以及实现高速注入所应采取的各种手段, 尽量发 挥
离子注入
机的潜能, 使中束流注入机也可以注入大束流, 在生产上实现高速机动, 加快了工艺流
2022-03-02 19:42:01
156KB
离子注入工艺各个参数
1
碳化硅氮
离子注入
模拟研究
碳化硅氮
离子注入
模拟研究,李卓,夏晓川,利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下,N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现,随着注入角度�
2021-11-08 20:38:43
365KB
首发论文
1
硅集成电路工艺基础:第四章
离子注入
.ppt
硅集成电路工艺基础:第四章
离子注入
.ppt
2021-09-19 09:02:05
1.16MB
论文研究-55纳米低功耗平台阱注入工艺的光罩缩减方案 .pdf
55纳米低功耗平台阱注入工艺的光罩缩减方案,刘晗,,集成电路产业的蓬勃发展带来各家公司之间的良性竞争,芯片生产成本的降低成为各家公司争先研究的方向。本文提出了一种降低55纳米�
2021-07-07 22:05:34
1.35MB
阱离子注入
1
光掩模、
离子注入
、扩散、金属沉积
光掩模、
离子注入
、扩散、金属沉积、
2021-06-29 13:04:28
115KB
光掩模、离子注入、扩散、金属沉积
1
Smartcut智能剥离技术-集成电路制造技术——原理与工艺---第六章
离子注入
Smartcut智能剥离技术 Smartcut技术是法 国 公 司 的 M.Bruel 等提 出 的 ,其原理 是利用H+注入在Si 片中形成气泡层 ,将注氢片 与另 一 支撑 片键合(两 个硅 片 之 间至少一 片的表面要有热氧化 SiO2覆盖层 ,经适 当 的热 处 理 使注氢片从气泡层完整裂开 ,形成 SOI结构. SmartCut技术是一种较理想 的 SOI制备技术
2021-05-19 17:29:06
4.93MB
离子注入
1
离子注入
机--相关参数,使用说明等
设备使用说明书,相关参数,具体设备尺寸,大小,型号
2019-12-21 21:39:55
1.74MB
设备
1
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