碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案(碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-160A) 碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。特别是在电力电子、高温电子、光伏逆变器和高频电子等领域，其性能优势能够提高器件的功率密度、效率和稳定性。 SiC MOSFET在高压转换器领域，爬电距离和电气间隙等最小间距要求使得高性能 SiC MOSFET采用TO−247、TO263-7L、TOLL、DFN、SOT227型等封装,这些封装已经十分完善。SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、快速充电桩、智能电网，轨道交通领域，牵引变频器等领域。

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。 Vg‐Id 特性

1200V碳化硅肖特基二极管是固锝电子新推出的第三代SiC肖特基二极管。 可以实现超低的反向恢复时间，优越的高温反向漏电流，优化提升开关损耗，很好的提高了电动汽车、混合动力汽车、通信、工业和商用等电源类产品的使用效率。