0 引言 　　随着芯片集成度的不断提高，Cu已经取代A1成为超大规模集成电路互连中的主流互连材料。在目前的芯片制造中，芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得Cu镀层。在直流电镀中，由于金属离子趋近阴极不断被沉积，因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时，接近阴极的金属离子被充分地沉积；当电流关断时，阴极周围的放电离子又重新恢复到初始浓度。脉冲电镀的主要优点有：降低浓差极化，提高了阴极电流密度和电镀效率；改善镀层物理性能；所得镀层具有较好的防护性；能获得致密的低电阻率金属沉积层。 　　脉冲电镀理论20世纪初就已被提出。近几年来，国外陆续发表了一些关于脉冲电镀在集成电路Cu