串联电阻效应 实际上结区外的电阻不能忽略，因此外加电压除降落在PN结区及边界处的扩散区外，还有一部分降落在体内及电极上。导致实际降落在PN结的电压降低。 串联电阻效应在大电流下比较明显，使得I-V曲线偏离指数形式，甚至成为线性关系。

本文主要介绍的是巨磁电阻效应，首先详细的阐述了巨磁阻效应与层结构，其次介绍了巨磁电阻效应的应用，具体的跟随小编一起来了解一下。 巨磁电阻效应是什么 所谓巨磁电阻效应是指材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象。一般将其定义为GMR＝其中（H）为在磁场H作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。由外加磁场引起的一些磁性材料的电阻巨大变化（称为巨磁电阻效应）便是磁电子学中一项重要内容。在室温下具有巨磁电阻效应的巨磁电阻材料目前已有许多种类，例如，多层膜巨磁电阻材料，颗粒型巨磁电阻材料，氧化物型巨磁电阻材料，隧道结型磁电阻材料等。 巨磁阻效应与层结构分析 所谓磁阻效应是指导体或半导体在磁场作用下其电阻值发生变化的现象，巨磁阻效应在1988年由彼得•格林贝格（Peter Grünberg）和艾尔伯•费尔（Albert Fert）分别独立发现，他们因此共同获得2007年诺贝尔物理学奖。研究发现在磁性多层膜如Fe/Cr和Co/Cu中，铁磁性层被纳米级厚度的非磁性材料分隔开来。在特定条件下，电阻率减小的幅度相当大，比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高

北邮 物理实验 95分

巨磁电阻效应及应用，大学物理实验报告，大连理工大学

行业分类-电器装置-基于隧道巨磁电阻效应的计量装置.zip