给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。

电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。 　　电压基准芯片的分类 　　根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消

电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要把握一些必要的应用技巧

电压基准是LDO线性稳压器的核心部分，它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求，另一方面又有较高的精度要求，提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺，仿真结果显示，输出基准电压为1.213 V，静态电流为538 nA，在-55～125 ℃温度范围内，温度系数仅为10.58 ppm/℃，低频时的电源抑制比为-85 dB。

在传统的电流模电压基准结构下，基于一阶补偿后的电压基准输出特性，设计了一个简单的高、低温补偿电路，在宽的温度范围内(-50~150 ℃)，显著提高了电压基准的精度。同时，对电路进行简单的改进，输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真，在1.5 V的电源电压下，PSRR为-83.6 dB，温度系数为2.27 ppm/℃。

所有模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)都需要一个基准信号，通常为电压基准 。 ADC的数字输出表示模拟输入相对于它的基准的比率；DAC的数字输入表示模拟输出相对它的基准的比率。有些转换器有内部基准，有一些转换器需要外部基准。不管怎样所 有转换器都必须有一个电压(或电流)基准。

0  引言 　　随着集成电路规模不断扩大，尤其是芯片系统集成技术的提出，对模拟集成电路基本模块(如A／D、D／A转换器、滤波器以及锁相环等电路)提出了更高的精度和速度要求，这也就意味着系统对其中的基准源模块提出了更高的要求。 　　用于高速高精度ADC的片内电压基准源不仅要满足ADC精度和采样速率的要求，并应具有较低的温度系数和较高的电源抑制比，此外，随着低功耗和便携的要求，ADC也在朝着低压方向发展，相应的基准源也要满足低电源电压的要求。 　　本文分析了基准源对流水线ADC精度的影响，并建立了相应的模型，确定了高速高精度ADC对电压基准源的性能要求。给出了基于1.8 V的低电源电压，并采

LTC6655 高精度电压基准源

摘要：本文介绍了不同类型电压基准芯片的选择，提供了选择串联型和并联型电压基准时需要考虑的几项指标。 　　串联型电压基准 　　串联型电压基准具有三个端子：VIN、VOUT和GND，类似于线性稳压器，但其输出电流较低、具有非常高的精度。串联型电压基准从结构上看与负载串联(图1)，可以当作一个位于VIN和VOUT端之间的压控电阻。通过调整其内部电阻，使VIN值与内部电阻的压降之差(等于VOUT端的基准电压)保持稳定。因为电流是产生压降所必需的，因此器件需汲取少量的静态电流以确保空载时的稳压。串联型电压基准具有以下特点： 　　电源电压(VCC)必须足够高，保证在内部电阻上产生足够的压降，但电压过

接口电路基准源电压设计，非常不错的参考资料！