片外存储器HK1235中文资料

 利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

基于华大HC32F460，RTthread对于U盘以及片外SPI flash 的使用FatFs和littleFs等文件系统移植说明和源码工程，并从以下四点展开。 1.文件系统引入 2.RT-Thread DFS 3.RT-Thread 文件系统使用 4.常见问题

无片外电容LDO的设计[摘要] 传统的低压差线性稳压器LDO，需要在其输出端添加输出电容，以保证系统的稳定性。但这会存在两个主要的问题：一方面，输出端产生的极点位置并不是固定不变的，而是随着负载变化的，LDO的频率补偿很大程度上取决于负载。因此，对输出电容的数值及类型提出了严格的要求;另一方面，增加了成本及PCB板的面积。因

低功耗无片外电容LDO的设计

考虑到LDO应用在无分立器件的情况下，针对在无片外电容和无片外电阻的情况下对LDO进行研究设计，在无外接电容的情况下，LDO同样能够输出稳定电压，以应用在DC-DC转换器中为内部电路模块进行供电。并通过调整LDO内部运算放大器结构以及对运算放大器进行米勒补偿来调整其零极点，同时在运算放大器内部进行电源隔离的处理，可以显著提高其电源抑制比。最后利用华虹0.18 μm的BCD工艺进行仿真。仿真结果表明，此结构具有高稳定性，可以输出稳定电压。

基于STM32F407通过I2C驱动片外RTC时钟电路-嵌入式源码

摘要：本文介绍MCS-8051单片机片外256 KB数据存储器的扩展方法，主要以MCS-8051系列单片机为例，介绍一种新的片外数据存储器扩展方法，仅用单片机的P0口、P1.6及P1.7共10个端口便可实现256 KB数据存储器的扩展方法。 　　0  引言 　　随着单片机运算速度和处理能力的不断提高，其在各个领域得到更广泛的应用。然而。随着其应用领域的不断扩大及集成化的不断提高，其内部资源已不能满足实际需求，往往需要对其内部资源进行扩展。 　　经典的扩展方法主要是通过地址总线、数据总线即P0、P2口，以及控制线ALE等来进行数据或程序存储器的扩展，寻址空间可达64KB,但这种方法占用端口

包含完整的电路文件，仿真文件以及对应的PDK文件，导入CadenceVirtuoso就可学习

// 此程序需要 DSP2833x头文件. // // 根据在RAM中调试的需要，这个项目配置成"boot to SARAM".2833x引导模式 // 表如下显示. 常用的还有"boot to Flash"模式，当程序在RAM调试完善后就 // 可以将代码烧进Flash中并使用"boot to Flash"引导模式.