研究了Sb3+替代Bi3+对Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,经Sb3+替代的BZN陶瓷样品成瓷温度仍为1 000℃;随着Sb3+替代量的增加,Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化。当替代量x=0.4时,介电性能最佳,介电常数为184,介电损耗为0.001。
2024-01-15 11:34:13
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烧结温度对Zn_(0.98)Cu_(0.01)Co_(0.01)O稀磁半导体性质的影响.pdf
2021-08-29 18:11:33
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烧结温度对SiO2-TiO2薄膜亲水性的影响， 夏添，郭宪英，为了确定SiO2-TiO2薄膜制备过程的最佳烧结温度，实验将不同SiO2与TiO2掺杂比的样品分别在400°和500°下煅烧，然后进行与水的静态接触角测
2020-01-09 03:12:34
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