mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点，此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分，RDS（ON）为负温度系数；而在VGS
2024-03-14 18:47:03
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摘要：发光二极管尚需克服其发光效?问题在于：现阶段的光能效?仅能达到15%, 而85%皆转为热?, LED光源的应用, 仍需搭配散热机构, ?散热功能设计?当, 对于发光二极管本身，将造成严重的破坏情形。
概 述
发光二极管, 具有无污染, 低耗能, 寿命长, 操作反应快等优点, 随着欧盟即将在2007?禁止目前广泛使用的含汞?属光源, LED 将成为下一世代光源发展的主轴。LED随温度变化, 亮度不断提升, LED的散热技术也一直在提升, 1992年一颗LED的热阻抗为360℃/W, 之后降至125℃/W、75℃/W、15℃/W, 而今已是到了每颗6?10℃/W的地步, 简单
2023-06-05 23:00:21
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电压基准是LDO线性稳压器的核心部分，它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求，另一方面又有较高的精度要求，提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺，仿真结果显示，输出基准电压为1.213 V，静态电流为538 nA，在-55～125 ℃温度范围内，温度系数仅为10.58 ppm/℃，低频时的电源抑制比为-85 dB。
2022-05-29 01:57:18
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行业资料-电子功用-半导体器件温度系数建模方法以及电路设计方法.pdf.zip
2021-08-29 13:05:19
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提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。
2021-08-16 01:42:29
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