在半导体中，可以通过将一种半导体材料（例如 InGaAs）的“阱”层夹在另一种半导体材料（例如 InP）的两个“势垒”层之间来制造实际的势阱。 在这种结构中，电子在“阱”材料中具有较低的能量，并且在与“势垒”材料的界面处看到一些势垒高度 Vo。 这种结构广泛用于光纤通信等激光器中。 在半导体中，这种势阱被称为“量子阱”。(*) 此 m 文件 (GaAs_QW) 计算具有恒定有效质量与不同阱宽的 GaAs 单量子阱中的能级。 它还绘制了给定势能和阱宽的相应特征函数。 （*） 大卫。 AB Miller，科学家和工程师的量子力学。 剑桥。 博士生。 埃内斯托·莫莫克斯（Ernesto Momox） 享受！

针对单通道语音信号盲分离的问题，结合盲源分离和经验模式分解的优点，提出了一种基于经验模式分解的单通道语音信号源数估计和盲源分离方法"对语音混合信号进行经验模式分解，利用贝叶斯算法估计语音源数目，根据源信号数目重组多通道语音混合信号，并采用独立分量分析实现语音信号的盲分离"仿真实验表明，使用此法能有效地估计通道语音信号源数和分离盲源.