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论文研究-通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究 .pdf
通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究,顾林,,55纳米低功耗平台(55LP)的器件工艺窗口不足是长期存在的一个问题,主要表现为两个方面:1. 器件速度偏慢导致的晶圆边缘(W/E)Mbist�
2021-07-07 22:01:07
717KB
侧墙工艺
快速热退火
浅沟槽刻蚀
器件工艺窗口。
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