本文介绍用于X和Ku波段的射频MEMS电容开关的设计、 fabrication与性能表征。通过电感调谐技术提升隔离度与Q因子，采用高阻硅基底与五步光刻工艺实现器件制造。实验结果显示，在8–18 GHz频段内，插入损耗优于0.5 dB，隔离度超过–40 dB，驱动电压为18.5 V。创新性地利用折叠梁与接地凹槽结构增强电感，实现频率选择性调谐，适用于相控阵天线与可重构射频系统。研究还探讨了介质充电对可靠性的影响，并提出Al2O3/ZnO合金介质层的解决方案。该成果为高频通信系统中的高性能开关提供了实用化路径。

利用微波检测移动物体判断通断，可用于灯具，门禁，防盗

为了排除微波开关故障，分析并利用矢量网络分析仪的时域测试功能，测试微波开关在不同状态下低通冲击响应，解决了微波开关故障排除中只能靠直流状态及频域测试而无法迅速精确定位的难题。