射频微电子机械系统RF MEMS开关的高隔离度与低插入损耗特性,同开关自身的结构参数密切相关。为了得到更好的开关性能,在设计过程中有必要对射频MEMS开关的相关参数进行优化。本文用ADS和HFSS仿真设计软件,对射频MEMS并联电容式开关的微波特性进行了分析和仿真,研究了MEMS开关的等效电路参数和结构参数的变化对RF MEMS开关微波特性的影响。仿真结果表明:等效电容参数和MEMS开关桥宽度是影响开关性能的关键参数,当开关的等效电容参数增加20 pF,或MEMS桥的宽度增加40μm时,RF MEMS开关

提出了一种新颖的微机械谐振式微流量传感器。该传感器采用电磁激励方式。传感器主要由1个3μm厚H型谐振器、1个40μm厚的悬臂梁平板(2000μm×5000μm)以及连接平板和框架的2根40μm厚的支撑梁组成。谐振器采用低应力富硅氮化硅SiN制作,可以方便地使用湿法腐蚀释放谐振器,从而简化工艺流程,提高成品率。文中分析了理论模型、有限元仿真(FEA)、工艺制造和测试结果。测试结果显示,传感器在1 SLM(标准L/min)流量下,频率漂移为500 Hz,分辨率达到5/1000。但在输出(谐振器频率漂移)和输入(气体流量)间存在二次曲线关系。

对微机电系统进行了详细介绍

微机电系统的产生、发展 起源：微机电系统的起源与集成电路和固态传感器的发展密切相关。１９４７年科研工作者首先发明了晶体管，而后的半导体集成电路的研制导致了微电子技术的产生，并使硅成为最为重要的微电子材料，也为微机电系统技术的发展奠定了基础； 19世纪，照相制版； 1951年，布劳恩影空板（美，RCA公司）-用于光制造工程领域； 1954年，史密斯－－半导体压阻效应； 1958年，硅单晶半导体应变片； 1962年，结晶各向异性腐蚀技术； 1963年，半导体压力计（日本丰田研究所）； 1967年，振动栅极晶体管（美，Westinghouse公司）-利用牺牲层腐蚀方法； 1968年，阳极键合（美，Mallory公司）； 1969年，杂志浓度依存性腐蚀； 1970年，出现硅微小电极； 1973年，导管用硅压力传感器（斯坦福大学）；离子敏场效应管（日本，东北大学）； ２０世纪６０年代末７０年代初，美、日等国先后以压阻效应为基础研制出扩散硅压力传感器，应用扩散、研磨等工艺； 1975年，集成化气体色谱仪（斯坦福大学）-传感器和执行器； 1979年，集成化压力传感器（美，密歇根大学）-传感器和电路； ２０世纪７０年代中期，美国Ｋｕｌｉｔｅ压力传感器公司首先通过光刻、腐蚀、静电键合技术，制成扩散硅压力传感器膜片；由于尺度可控制在微米级，同时，采用硅的深腐蚀和整体键合实现的，该方法被称为体微机械加工（Ｂｕｌｋ　Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）技术。 1981年，水晶微机械（日本，横河电机）； 1986年，LIGA工艺（原西德原子力研究所）-高深宽比微细加工技术； 1986年，硅伺服型加速度传感器（瑞士，CSEM）;集成微流量控制器（日本，东北大学）-闭环集成控制；

MEMS入门的资料，详细介绍MEMS器件

JJF 1427-2013 微机电（MEMS）现加速度计校准规范

很好的入门教材, 是学习微机电系统的好资源！！

一种微机电封装中粘接层间剥离应力计算方法.pdf

2021-2027全球与中国MEMS（微机电系统）传感器市场现状及未来发展趋势.docx

分析了激光成像雷达系统中的微机电系统(MEMS)振镜的振动特性，对影响MEMS振动角度的关键因素：频率和驱动电压对振动角度的影响进行了实验测量。研究结果表明，选择60~200 Hz要求的扫描频率、60 V以上的驱动电压可以实现角度相对较大、同时又能满足系统64~256 s-1分辨率要求。