本文中针对反激开关管的Vds电压尖峰问题进行定性分析，从而为降低此尖峰提供指导方向，供读者参考学习。

摘要：将数字延时及高压脉冲形成电路结合在一起构成高精度的高压脉冲发生器，用于触发Marx发生器及高压脉冲触发装置，也适用于高压雷管起爆装置。以CPU8031为控制核心，采用VE4137A型高电压、大电流、低抖动、快速氢闸流管构成高压脉冲形成级，MOSFET作为驱动级。延时可控，延时范围为10ns至99μs，连续可调，数显；高压脉冲幅度为5～30kV，前沿小于16ns，脉宽大于300ns，抖动小于10ns。关键词：高压脉冲；脉冲发生器；快速高压开关管；延时控制DesignofControllableDelayHighVoltagePulseGeneratorLIUYun-tao,XIEMin,G

通信电源

电容式接近控制器通常由一个射频振荡电路和一个探测板组成。

电源的工作原理 电源→输入滤波器→全桥整流→直流滤波→开关管（振荡逆变）→开关变压器→输出整流与滤波

对开关管的要求是快速开通、快速关断，只有快速地进行状态转换才符合PWM DC/DC转换器的工作需要，才会使开关过程中的交叠损耗减小。 PWM DC/DC转换器常用的开关管有两种：一种是功率场效应管MOSFET；另一种是绝缘栅双极晶体管IGBT。 　　N型沟道MOSFET的电路图形符号及其结构如图所示。这是一种场控器件，各电极的作用类似于NPN型晶体管。漏极D相当于集电极C，源极S相当 于发射极E，栅极G相当于基极B。最显着的区别是：MOSFET管是电压控制式开关器件，栅一源之间只需几伏的电压（不需要静态电流），就可以控 制它的输出电压和输出电流。 　　如图 N型沟道MOSFET的电

三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？ 三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管控制原理。 ▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理 （1）控制方式不同，三极管是电流型控制元器件，而MOS管是电压控制元器件，三极管导通所需的控制端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就可以实现三极管导通，只需改变基极限流电阻即可改变基极电流。而MOS管为电压控制，导通所需电压一般4V~10V左右，且达到饱和时所需电压一般6V~10V左右。在控制电压较低的场合一般使用三极管作为开关管，也可以先使用三极管作为缓冲控制MOS管，比如单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只有3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管，电压较低

PFC（Power Factor Correction）-功率因数校正，功率因数，简单的说就是有功功率和视在功率的比值，这里的视在功率被认为是总耗电量，功率因数用来衡量电力被有效的利用程度。功率因数越大，代表电力的有效利用率越高，而功率因数校正就是为了提高用电设备功率因数。

本文从原理出发分析了在推挽逆变器中两开关管漏极产生尖峰的原因，提出了改进方法，并在实际应用中得到验证是可行的，相比于传统推挽逆变器，极大地提升了了性能，提高了效率和稳定性。

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。