新型宽禁带半导体氮化镓器件的应用电路设计和驱动设计，供大家参考学习

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.

随着 Si 材料的瓶颈日益突出，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导 体材料开始崭露头角，使半导体材料的应用进入光电子领域，尤其是在 红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。第三代半导体材料的兴起， 则是以氮化镓（GaN）材料 p 型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光 二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的研制成功为标志，包括 GaN、碳 化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）等宽禁带材料。第三代半导体（本文以 SiC 和 GaN 为主）又称宽禁带半导体，禁带宽 度在 2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电 子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。SiC 与 GaN 相比较，

西安电子科技大学“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室.pdf

高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器.pdf

宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。在本文中，我们回顾了三种重要材料的湿法蚀刻，即 ZnO、GaN 和 SiC。虽然 ZnO 在包括 HNO3/HCl 和 HF/HNO3 在内的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中很容易蚀刻，但 III 族氮化物和 SiC 很难湿蚀刻，通常使用干蚀刻。已经研究了用于 GaN 和 SiC 的各种蚀刻剂，包括无机酸和碱水溶液以及熔盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术有多种应用，包括缺陷装饰、极性和多型（对于 SiC）通过产生特征凹坑或小丘进行识别，以及在光滑表面上制造器件。在某些情况下，电化学蚀刻在室温下对 GaN 和 SiC 是成功的。此外，光辅助湿蚀刻产生类似的速率，与晶体极性无关。

碳化硅生长

2020-2025年中国宽禁带半导体行业市场深度评估及投资战略研究报告.pdf

2020-2025年中国控制线缆组件行业市场深度调研及发展战略研究报告.pdf