实现了一款GaN超倍频功率放大器。基于CREE公司型号为CGHV60040D裸芯片，通过对芯片外围键合线和微带线进行建模及电磁场仿真，利用最佳负载阻抗匹配的原理，并借助仿真软件设计优化了宽带匹配网络，最终完成了一款工作在2～6 GHz的单管宽带功率放大器。对所设计的宽带功放模块进行脉冲测试，在1.8～5.5 GHz的宽频带范围内，增益为10～13 dB，输出功率43 dBm以上，功率附加效率（PAE）达到40%以上。

摘要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计，频率范围从700 MHz～1．1 GHz。前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配，采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值，然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计，并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化。 关键词：功率放大器；宽频带；有耗匹配；ADS；LDMOS