针对45 nm MOSFET射频等效电路建模和参数提取技术进行了研究，在精确地提取了射频小信号模型参数之后，基于双端口网络的噪声相关矩阵和多端口噪声理论，使用本征电路的噪声电流源嵌入有噪声贡献的元件，从而分析推导出射频噪声参数模型，并与商用的45 nm CMOS射频测量值相对比，在相应的频段内显示出很好的正确性。
2022-11-21 13:07:16
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６、噪声等效功率(NEP)
定义：信号功率与噪声功率比为1（SNR=1）时，入射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。
这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）
一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。
NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。
2022-11-17 11:31:10
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本文介绍了利用工作于Bragg衍射的Ge晶体声光调制器作为外差系统中的频移器来测量外差系统的噪声等效功率(NEP)的方法。该方法具有测试系统简单、信号光功率、偏频可调的优点。实验测试与理论分析吻合。
2022-03-29 13:28:16
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