设计了一种基于SMIC0.18μm射频1P6MCMOSCraft.io的高性能全差分环形压控振荡器（ring-VCO），采用双环连接方式，并利用分立正反馈来提高性能。在1.8V电源电压下对电路进行仿真，结果表明：1）中心频率为500MHz的环形VCO频率调谐范围为341〜658MHz，增益误差Kvco为-278.8MHz / V，谐振在500MHz下VCO的幅度噪声为-104dBc / Hz @ 1MHz，功率为22mW; 2）中心频率为2.5GHz的环形VCO频率调谐范围为2.27〜2.79GHz，增益灵敏度Kvco为-514.6MHz / V，谐振在2.5GHz下VCO的振幅噪声为-98dBc / Hz @ 1MHz，功耗为32mW。该VCO适用于低压电路，高精度锁相环等。

SAR图像中斑点噪声的存在会严重影响到其图像解译和后期处理,故对斑点噪声滤除的研究探讨一直是国际热点。近些年发展了许多SAR图像去噪的方法,文中对这些方法进行归纳总结,分析了其原理、优缺点及其适用范围,对下一步研究SAR噪声工作具有一定的指导意义。

ADS学习笔记 2. 低噪声放大器设计-DataSheet：ATF54143（LNA） 一、引言 Agilent ATF-54143是一款高动态范围、低噪声、E-PHEMT器件，封装在小型塑料表面贴装SC-70（SOT-343）4引脚中。由于其高增益、高线性度和低噪声特性，它特别适合于450 MHz到6 GHz频率范围内的蜂窝/PCS基站、MMDS以及其他系统的低噪声放大器设计。 二、产品特性 1. 高线性度性能：该器件在保持高增益的同时，还能提供出色的线性度。 2. 增强型模式技术[1]：此技术要求正的栅源电压（Vgs），因此可以避免与传统耗尽模式设备相关的负栅压。 3. 低噪声系数：在典型的2 GHz工作频率下，噪声系数为0.5 dB，非常适合低噪声应用。 4. 优秀的规格一致性：确保不同产品之间的性能稳定。 5. 800微米栅宽：较大的栅宽有助于增加增益和功率容量。 6. 低成本表面贴装小型塑料封装SOT-343（4引脚SC-70）：易于与现代制造流程兼容。 7. 可选的贴带和卷带包装：适合自动化表面贴装生产线。 三、性能参数 1. 工作频率：在2 GHz下典型工作，但适用范围更广。 2. 工作电压：3V，工作电流为60 mA（典型值）。 3. 输出三阶交调点：典型值为36.2 dBm。 4. 1 dB增益压缩点输出功率：20.4 dBm。 5. 噪声系数：0.5 dB。 6. 相关增益：16.6 dB。 四、应用场景 ATF-54143的应用领域包括： 1. 蜂窝/PCS基站的低噪声放大器。 2. WLAN、WLL/RLL和MMDS应用的低噪声放大器（LNA）。 3. 其他超低噪声应用的通用离散E-PHEMT。 五、封装和标记 ATF-54143采用SOT-343封装。引脚连接和封装标记如下图所示： ``` SOURCEDRAIN GATE SOURCE4Fx ``` 【顶部视图】。封装标记提供了器件的方向和标识，其中“4F”表示设备代码，“x”表示制造月份的日期代码字符。 六、绝对最大额定值 为避免永久性损坏，操作器件时不得超过下述任何一项参数： 1. 漏极-源极电压（VDS）：5V。 2. 栅极-源极电压（VGS）：-5 到 1V。 3. 栅漏电压（VGD）：5V。 4. 漏极电流（IDS）：120 mA。 5. 总功率耗散（Pdiss）：360 mW（在源极引线温度为25°C时）。 6. RF输入功率：最大10 dBm。 7. 栅源电流（IGS）：2 mA。 8. 通道温度（TC）：150°C。 9. 存储温度（TSTG）：-65 到 150°C。 10. 热阻（θjc）：162°C/W。 请注意，上述参数是在直流静态条件下假设的，且源极引线温度为25°C。当源极引线温度超过25°C时，需要进行降额处理。 七、注意事项 1. 超过这些参数的任何操作都可能导致永久性损坏。 2. 最大RF输入功率测试基于无调制的连续波输入信号。 3. 如果超出规格范围，可能不会损坏器件，但规格无法保证。 以上内容均基于DataSheet ATF54143的数据信息，详细情况请参照原厂手册或相关数据资料。

内容概要：本文详细介绍了利用MATLAB中的NSGA-II算法联合Maxwell进行永磁电机的多目标优化过程。主要涉及五个设计变量（如磁钢厚度、槽口宽度等），并通过三个优化目标（齿槽转矩最小化、平均转矩最大化、转矩脉动最小化）来提升电机性能。文中展示了具体的代码实现，包括目标函数定义、NSGA-II算法参数设置以及Matlab与Maxwell之间的数据实时交互方法。此外，还探讨了电磁振动噪声仿真的重要性和具体实施步骤，强调了多物理场计算在电机优化中的作用。 适合人群：从事电机设计与优化的研究人员和技术工程师，尤其是对多目标优化算法和电磁仿真感兴趣的读者。 使用场景及目标：适用于需要提高永磁电机性能的工程项目，特别是希望通过多目标优化方法解决复杂设计问题的情况。目标是在满足多种性能指标的前提下找到最优设计方案，从而提升电机的整体性能。 其他说明：文章不仅提供了详细的理论解释和技术实现路径，还包括了许多实用技巧和注意事项，帮助读者更好地理解和应用这些技术和方法。

噪声滤波器是用于改善信号质量的电子设备，它能够减少或消除不需要的信号干扰，从而提高信号的清晰度和准确性。在电子测量和通信领域，噪声滤波器尤为重要。本文介绍了一种特定的噪声滤波器——0.1Hz至10Hz噪声滤波器。此类噪声滤波器通常被设计为从信号中滤除特定频率范围内的噪声。 从标题和描述中我们可以得知，0.1Hz至10Hz噪声滤波器采用了二阶高通滤波器和四阶低通滤波器，实现将特定频段内的噪声进行滤除。高通滤波器允许高于0.1Hz的频率信号通过，而阻断低于此频率的信号；反之，低通滤波器允许低于10Hz的频率信号通过，同时阻止高于此频率的信号。两个滤波器的组合，构成了一个带通滤波器，仅允许0.1Hz至10Hz这一特定频段内的信号通过。 这种滤波器特别适用于需要测量微弱信号的场合，如生物医学工程、精密仪器测量等领域。由于噪声的存在会影响测量的精度和可靠性，使用特定频段的噪声滤波器有助于简化噪声测量过程，并得到更准确的测量结果。 在给出的部分内容中，我们可以看到这个噪声滤波器设计是由德州仪器（Texas Instruments, 简称TI）提供的。TI是一家知名的半导体公司，提供包括模拟电路、数字信号处理器和微控制器在内的广泛产品线。他们提供的高精度设计，不仅包括了理论分析、器件选型、仿真，还提供了完整的PCB设计图、布局布线以及物材清单。此外，还有经过实际测试的电路性能，提供了实际电路修改的讨论，使得设计不仅具有理论支持，也具有实际应用的可行性。 从电路设计角度来看，噪声滤波器设计的关键在于选择合适的滤波器结构和参数，以满足特定的性能需求。此处的滤波器采用了0.1Hz的高通滤波器和10Hz的低通滤波器，意味着该噪声滤波器会允许频率在0.1Hz到10Hz之间的信号通过，而对频率超出这个范围的信号进行抑制。 滤波器增益是指滤波器对信号的放大能力，本设计中提到的总增益为100dB（或者100,000倍的电压放大）。这个参数直接关联到信号的测量范围，以及测量设备的分辨率和灵敏度。设计中还提到了蒙特卡洛仿真，这是一种统计学方法，通常用于分析电路的稳定性和参数的公差，可以基于不同因素变化产生的随机样本，模拟电路在不同条件下的表现。 在实际应用中，这样的噪声滤波器能够有效地提升信号的质量，使测量设备能够准确读取信号。例如，放大器数据手册中的100nVpp数量级的输入噪声，通过本设计的滤波器放大，其输出可以达到10mVpp，这使得示波器等测试设备能够更清晰地观测信号。 总结来说，0.1Hz至10Hz噪声滤波器是一款用于提高信号测量精度的专业工具。其设计包含了多个关键环节，如设计验证、电路仿真、PCB设计等，而这一切都围绕着如何有效地隔离特定频率范围内的噪声，提高信号的清晰度和测量准确性。噪声滤波器在电子工程领域有着广泛的应用，能够为各种精密测量任务提供支持。

白噪声发生器是一种重要的电子设备，它主要用于生成具有平坦功率谱的随机信号，即在所有频率上具有相同功率的噪声，这种噪声被称为白噪声。在本文中，我们将深入探讨一种基于PN结齐纳噪音原理的白噪声发生器。 我们要理解PN结的基本概念。PN结是半导体材料中的一个重要组成部分，它是P型半导体与N型半导体接触形成的界面。在PN结中，电子和空穴（带负电和正电的载流子）在界面处重新组合，形成一个耗尽区，这个区域几乎没有自由移动的载流子。当在PN结施加反向电压时，如果电压足够大，就会发生齐纳击穿，此时电流会突然增大，同时伴随着大量的噪声产生。 齐纳击穿是一种非线性现象，当反向电压达到一定阈值（称为齐纳电压）时，PN结的势垒被击穿，形成一个低阻通道，允许电流迅速增加。在这个过程中，大量的电子和空穴对快速重组，释放出能量，这些能量以热噪声的形式表现出来，也就是我们所说的齐纳噪声。 在白噪声发生器的设计中，一个晶体管的基极-发射极PN结被反向偏置，以利用齐纳击穿产生的噪声。通常，这种反向电压约为5V，但实际上，为了确保PN结能够可靠地击穿并产生足够的噪声，电源电压应该超过5V，最好是8V或更高。在示例电路中，12V电源常被采用，因为它可以提供足够的电压裕量，确保噪声的稳定生成。 电路中的2K2电阻在原始设计中可能用于控制噪声的强度或者作为反馈电阻来调整噪声的特性。如果目标是简单地生成白噪声，可以将控制连线直接相连，省去这个电阻。这样，噪声信号会直接通过PN结，然后经过放大，最终由扬声器输出，用户可以听到类似“咝咝”声的白噪声。 白噪声在电子工程、通信、音频测试、信号处理等多个领域都有广泛的应用。例如，在电子竞赛中，它可以用来测试滤波器的性能；在音频系统中，用于校准和测试设备的频率响应；在通信系统中，白噪声可用于模拟真实环境下的干扰，帮助评估系统的抗干扰能力。 总结来说，PN结齐纳噪音原理的白噪声发生器是一种实用且简单的设备，它利用半导体PN结的特性生成白噪声。通过调整电路参数，我们可以控制噪声的强度和特性，以满足不同应用场景的需求。这种基本的白噪声发生器设计不仅教育意义重大，也是实际工程应用中的一个重要工具。

【低噪声放大器基础知识】 低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）在无线通信系统中扮演着至关重要的角色，特别是在接收模块中。它的主要功能是将接收到的微弱信号放大，同时尽可能地保持信号质量，降低噪声。噪声在通信系统中是一种干扰，会影响信号的清晰度和传输效率，因此LNA的噪声系数（Noise Figure, NF）是一个关键性能指标。噪声系数定义为输入端噪声功率与输出端噪声功率之比，数值越小，表明LNA对信号的噪声污染越小。 【UHF频段低噪声放大器】 UHF（Ultra High Frequency）频段通常指300MHz到3GHz之间的频率范围，这个频段广泛应用于广播、电视、移动通信等多个领域。设计UHF频段的低噪声放大器时，需要考虑以下因素： 1. **宽带设计**：由于UHF频段宽，所以LNA需要有良好的频率响应，能在整个频段内保持稳定的增益和低噪声性能。 2. **匹配网络**：为了确保输入和输出信号的有效传输，匹配网络设计至关重要。它需要使LNA的输入阻抗与后续电路的输出阻抗相匹配，同时降低反射，以减少信号损失。 3. **晶体管选择**：选择合适的晶体管对于实现低噪声和高增益至关重要。在本设计中，选择了安捷伦公司（Agilent）的低噪声高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）ATF-54143，这类晶体管具有低噪声特性，适合高频应用。 4. **负反馈技术**：负反馈可以改善放大器的稳定性，减小输入反射，并有助于平衡噪声系数与输入匹配的关系。在本课题中，采用负反馈设计，使得LNA能在提升增益的同时控制噪声。 【仿真与优化】 在设计过程中，利用Advanced Design System (ADS)这款射频电路仿真软件进行电路设计和优化。ADS可以帮助设计者进行输入、输出匹配电路、偏置电路的设计，并模拟其性能。通过优化电路参数，可以进一步降低噪声系数、提升增益，并确保系统的稳定性。 【实物制作与测试】 设计完成后，使用Protel DXP软件绘制PCB（Printed Circuit Board）版图，进行实物制作。实物制作完成后，需要进行测试和调试，以验证设计的性能。在本案例中，测试结果显示低噪声放大器的功率增益达到23dB，噪声系数约为0.6dB，这表明设计达到了预期的目标。 毕设中的低噪声放大器设计涉及了无线通信的基础理论、噪声测量技术、匹配网络设计、晶体管选择、负反馈应用以及电路优化等多个方面，是一个综合性较强的技术实践项目。这样的设计不仅锻炼了学生的理论知识应用能力，也提升了他们在实际电路设计和调试上的技能。

LNA总电路

基于多种QAM调制方式下的AWGN信道性能分析与仿真：包含加噪声前后星座图及误码率、误符号率对比的十图程序解读,基于不同调制方式下AWGN信道性能的深入分析：4QAM、16QAM与64QAM的加噪前后对比与误码率、误符号率性能评估,基于4QAM，16QAM，64QAM调制方式下经过AWGN信道的性能分析 均包含加噪声前后的星座图、误码率和误符号率性能对比，该程序一共10张仿真图，可学习性非常强 ,4QAM; 16QAM; 64QAM; AWGN信道; 性能分析; 加噪声前后星座图; 误码率; 误符号率; 仿真图; 可学习性,4QAM、16QAM、64QAM调制在AWGN信道性能分析与比较

### 传感器噪声处理详解 #### 一、传感器噪声概述 传感器是现代电子系统的重要组成部分，广泛应用于各种领域，如工业自动化、智能家居、医疗健康等。传感器的性能直接影响系统的准确性和可靠性，而噪声则是影响传感器性能的主要因素之一。本文将详细介绍传感器噪声的来源以及如何有效地减少这些噪声。 #### 二、传感器噪声的种类 根据传感器噪声的特点，可以将其分为以下几种类型： 1. **低频噪声**： - 主要由内部导电微粒不连续造成。 - 碳膜电阻中的碳质材料内部存在许多微小颗粒，颗粒间连接不连续会导致电阻的导电率变化，进而引起电流波动。 - 晶体管也会产生类似的噪声，与其掺杂程度有关。 2. **半导体器件产生的散粒噪声**： - 半导体PN结两端势垒区电压的变化导致电荷数量的改变，类似于电容的充放电过程。 - 当外加正向电压增加或减小时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，引发电流波动。 - 噪声大小与温度、频带宽度成正比。 3. **高频热噪声**： - 导电体内部电子的无规则运动产生。 - 温度越高，电子运动越剧烈，产生的噪声越大。 - 对于高频电路来说，热噪声的影响尤为显著。 4. **电路板上的电磁元件的干扰**： - 继电器、线圈等电磁元件在工作时会向周围辐射能量，影响周围电路。 - 电磁元件通断时产生的反向高压可能导致瞬时浪涌电流，严重干扰电路正常工作。 5. **晶体管的噪声**： - 晶体管产生的热噪声、散粒噪声、闪烁噪声。 - 散粒噪声源自于载流子的不规则波动。 - 闪烁噪声与半导体表面的不洁处理有关，主要在低频范围内起作用。 6. **电阻器的噪声**： - 电阻器中的电感、电容效应以及电阻本身的热噪声。 - 高频下（>1MHz），寄生电感和寄生电容不可忽视。 - 接触噪声是低频传感器电路的主要噪声源。 7. **集成电路的噪声**： - 辐射式和传导式的噪声干扰。 - 噪声频谱扩展至100MHz以上，对同一交流电网上的其他电子设备产生影响。 #### 三、噪声抑制措施 针对上述不同类型的噪声，可以采取以下措施进行有效的抑制： 1. **合理选择低噪声半导体元器件**： - 在低频段，应考虑晶体管的势垒电容和扩散电容等因素。 - 选择具有较低噪声系数的晶体管或其他半导体器件。 2. **优化电路设计**： - 减少电路板上的布线长度，尤其是关键信号路径。 - 使用屏蔽技术减少电磁干扰。 - 设计合理的接地布局，避免地线回路形成。 3. **滤波技术的应用**： - 使用LC滤波器或有源滤波器来滤除特定频率范围内的噪声。 - 在电源输入端添加去耦电容，减少电源噪声对敏感电路的影响。 4. **软件算法**： - 实施数字滤波算法，如滑动平均滤波、中值滤波等，以软件方式减少噪声影响。 - 应用自适应滤波算法提高噪声抑制能力。 5. **物理隔离**： - 采用光电耦合器等隔离技术减少信号传输过程中的噪声干扰。 - 在必要时使用屏蔽盒对整个系统或部分敏感组件进行屏蔽。 #### 四、总结 传感器噪声的处理是一项复杂而细致的工作，需要综合考虑多种因素。通过对噪声来源的理解以及采取适当的措施，可以显著提升传感器及其所在系统的性能。随着技术的发展，未来还会有更多先进的方法和技术用于传感器噪声的抑制，进一步推动传感器技术的进步和发展。