基于MATLAB/Simulink平台的SiC MOSFETs器件模型的研究与应用。首先简述了SiC MOSFETs的基本特性和优势，接着重点探讨了如何在MATLAB/Simulink中构建No.15 SiC MOSFETs模型，该模型能够模拟实际的导通电压、开关特性以及计算导通损耗和开关损耗。最后，文章展示了该模型在逆变器和电机控制系统中的具体应用，强调了其对系统性能评估和优化的重要意义。 适合人群：从事电力电子、电机控制等领域研究的技术人员和高校相关专业师生。 使用场景及目标：适用于需要进行逆变器、电机控制系统仿真的研究人员和技术开发者，旨在帮助他们更精确地评估和优化系统性能。 其他说明：文中提到的SiC MOSFETs模型相较于传统IGBT/MOSFETs模型更具实际应用价值，能更好地反映器件的真实特性，有助于提升系统效率和可靠性。

内容概要：本文详细介绍了基于MATLAB/Simulink平台的SiC MOSFETs器件模型的研究与应用。首先简述了SiC MOSFETs的基本特性和优势，接着重点探讨了如何在MATLAB/Simulink中构建该器件模型，以及它与Simulink自带IGBT/MOSFETs模型的区别。文中强调了No.15 SiC MOSFETs模型能模拟实际器件的非理想特性，如导通电压、开关特性，并能计算导通损耗和开关损耗。最后，文章展示了该模型在逆变器和电机控制系统中的具体应用场景，通过仿真来评估和优化系统性能。 适合人群：对电力电子、电机控制等领域有研究兴趣的专业人士，尤其是从事逆变器和电机控制系统设计的研发人员。 使用场景及目标：适用于希望深入了解SiC MOSFETs器件特性的研究人员和技术人员，旨在帮助他们掌握如何在MATLAB/Simulink中构建和应用SiC MOSFETs模型，以提升系统设计的效率和可靠性。 其他说明：文章不仅提供了理论知识，还包括具体的建模步骤和仿真方法，有助于读者将所学应用于实际项目中。

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I/O Buffer Information Specification （IBIS）V7.0，文档更新于2019年3月15日

ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电，每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握 ESD 的相关知识。为了定量表征 ESD 特性，一般将 ESD 转化成模型表达方式，ESD 的模型有很多种，下面介绍最常用的三种。

2021年06，村田LC器件库最新21.6版本

pspice与电子器件模型.pdf，北邮出版

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