IDDQ测试（1）
为了检测CMOS电路中的某一个故障, 首先必须生成能激活该故障的IDDQ测试向量，该IDDQ 测试向量必须在该故障条件下能够制造一条或多条由VDD到VSS的低电阻通路，相当于电压测试中的故障激活和传播
但是同电压测试不一样，IDDQ 测试不需要把故障效应传播到原始输出端，因为IDDQ 测试并不在原始输出端，这是IDDQ实际应用时的方便之处
缺点
需要精确地测量电流
由于IDDQ的稳定需要一定时间，所以测试速度慢
2022-08-29 08:48:30
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MBIST：测试算法
在MBIST中，重要的测试算法是March算法，包括MATS+、MarchC-、MarchA、MarchB等
例子：MarchC-算法的基本步骤
↕ (W0)；↑(R0, W1)；↑(R1，W0)；↓(R0, W1)；↓(R1,W0)；↕ (R0)
其中，↕表示操作地址上行或下行，↓表示地址下行，↑表示地址上行，W0和W1分别表示写入“0”和“1”，R0和R1分别表示读出的期望值是“0”和“1”。对每个存储单元进行完括号中包含的所有操作后才处理下一个单元。
2022-04-09 16:59:22
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测试性要求
定量要求：包括故障检测率、故障隔离率、故障检测时间、故障隔离时间和虚警率等。
定性要求：包括测试可控性、测试观测性和被测单元（UUT）与测试设备的兼容性等。
2022-01-29 16:42:31
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非常详细的DFT入门资料，详细介绍了常见的DFT模型，以及Scan mode测试技术。最后介绍了ATPG Flow。
2021-08-06 00:07:38
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随着半导体工艺的发展，可测性技术成为每个芯片在设计中必须考虑的问题，如何高效和高质量的测试芯片中的内嵌Memory，成为DFT技术中的关键技术，本文针对rombist中的memory model的产生算法和结果做一个分析和总结，实际案例的具体分析和技术，希望对大家的面试和工作有帮助。
2021-07-28 21:20:03
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