由于IR2110内部不能产生负电压，因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰，对此研究了IGBT体寄生二极管反向恢复过程，并结合IGBT的输入阻抗米勒效应，分析出IR2110零电压关断毛刺干扰产生原因，最后对IR2110典型零电压关断电路进行改进，设计一种带负充电泵的IR2110关断电路。经实验验证，该电路可有效解决IR2110的零电压关断毛刺干扰问题，保证逆变器的工作稳定性。

肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。　　（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。　　不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。　　肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。　　另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。　　所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。　　二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。　　对上述的肖特基二极管上加电压。　　在0-t1时间内，给二极

行业-电子政务-功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法.zip

英飞凌魏炜介绍了IGBT双脉冲测试的方法，以及双脉冲测试平台搭建，实施步骤，二极管反向恢复电流及时间的大小，双脉冲和单脉冲实验的对比，双脉冲实验中关键参数的读取和处理，完成对IGBT杂散电感、母排设计、驱动电阻选取的测试验证。